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Integrierte Schaltkreise (ICs)(131)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TH58NVG2S3HBAI6 | 6.3600 |  | 5405 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-BGA | TH58NVG2 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-BGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512M x 8 | Parallel | 25ns | ||||
| TH58NYG3S0HBAI4 | 9.5400 | | 76 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TH58NYG3 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TH58NYG3S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Nicht flüchtig | 8Gbit | 25 ns | BLITZ | 1G x 8 | Parallel | 25ns | ||
 | THGJFGT1E45BAIL | 89.0200 | | 5 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Tablett | Aktiv | -25°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 153-WBGA | FLASH – NOR (SLC) | 2,4 V ~ 3,6 V, 2,7 V ~ 3,6 V | 153-BGA (11,5x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 1853-THGJFGT1E45BAIL | 152 | 1,16 GHz | Nicht flüchtig | 2Tbit | BLITZ | 256G x 8 | UFS 3.1 | - | ||||||
 | TC58NVG1S3HBAI6 | 3.8800 | | 1 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 67-VFBGA | TC58NVG1 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 67-VFBGA (6,5x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 338 | Nicht flüchtig | 2Gbit | 25 ns | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | 25ns | |||
| TH58NVG3S0HBAI4 | - | | 6296 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TH58NVG3 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TH58NVG3S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Nicht flüchtig | 8Gbit | 25 ns | BLITZ | 1G x 8 | Parallel | 25ns | ||
 | TH58BVG2S3HBAI6 | 6.3600 | | 3774 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 67-VFBGA | TH58BVG2 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 67-VFBGA (6,5x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512M x 8 | - | - | ||||
| TC58BYG1S3HBAI6 | - | | 6899 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 67-VFBGA | TC58BYG1 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 67-VFBGA (6,5x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 338 | Nicht flüchtig | 2Gbit | 25 ns | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | 25ns | |||
 | TC58NVG1S3HTAI0 | - | | 9161 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | TC58NVG1 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht flüchtig | 2Gbit | 25 ns | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | 25ns | |||
 | TC58CYG0S3HRAIG | - | | 7094 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | TC58CYG0 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | SPI | - | |||
| TC58BYG2S0HBAI4 | 5.8200 | | 87 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TC58BYG2 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TC58BYG2S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Nicht flüchtig | 4Gbit | 25 ns | BLITZ | 512M x 8 | Parallel | 25ns | ||
| THGBMHG7C2LBAW7 | - | | 8860 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Veraltet | THGBMHG | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||
 | TC58CVG0S3HQAIE | - | | 2468 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | TC58CVG0 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 168 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | 155 µs | BLITZ | 128M x 8 | SPI | - | ||
| TC58CVG1S3HRAIJ | - | | 9317 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | TC58CVG1 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 1853-TC58CVG1S3HRAIJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 2Gbit | 180 µs | BLITZ | 256M x 8 | SPI | - | |
| TC58BYG1S3HBAI4 | - | | 5013 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TC58BYG1 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TC58BYG1S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | - | 25ns | |||
 | THGBMJG7C1LBAIL | - | | 4718 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Tablett | Veraltet | -25°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-WFBGA | THGBMJG7 | FLASH - NAND | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | eMMC | - | ||||
| TH58BYG2S3HBAI4 | 7.2400 | | 208 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TH58BYG2 | FLASH - NAND (SLC) | - | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TH58BYG2S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512M x 8 | - | - | |||
| TH58NVG5S0FTAK0 | 45.7100 | | 82 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | TH58NVG5 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TH58NVG5S0FTAK0B4J | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Nicht flüchtig | 32Gbit | BLITZ | 4G x 8 | Parallel | 25ns | |||
| TC58BVG0S3HBAI4 | 3.3200 | | 128 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TC58BVG0 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Nicht flüchtig | 1Gbit | 25 ns | BLITZ | 128M x 8 | Parallel | 25ns | |||
| TH58NVG3S0HTAI0 | 9.8200 | | 7507 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | TH58NVG3 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Nicht flüchtig | 8Gbit | 25 ns | BLITZ | 1G x 8 | Parallel | 25ns | |||
 | THGBMHG9C8LBAWG | - | | 4351 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-WFBGA | THGBMHG | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | eMMC | - | |||
| TC58NYG1S3HBAI4 | - | | 6785 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TC58NYG1 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TC58NYG1S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | - | 25ns | |||
| THGBMUG8C2LBAIL | - | | 3198 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | - | 3 (168 Stunden) | 1853-THGBMUG8C2LBAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||||
| TC58BYG0S3HBAI4 | 3.8800 | | 18 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | TC58BYG0 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | TC58BYG0S3HBAI4JAH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | - | 25ns | |||
| THGBMJG8C4LBAU8 | - | | 1285 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-WFBGA | THGBMJG8 | FLASH - NAND | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | eMMC | - | ||||
| THGBMHG6C1LBAIL | - | | 5439 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Tablett | Veraltet | -25°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-WFBGA | THGBMHG | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | Nicht flüchtig | 64Gbit | BLITZ | 8G x 8 | eMMC | - | |||
| TC58CYG0S3HRAIJ | - | | 1393 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | TC58CYG0 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 1853-TC58CYG0S3HRAIJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | 180 µs | BLITZ | 128M x 8 | SPI | - | |
| TC58CYG2S0HRAIJ | - | | 2590 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | TC58CYG2 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 1853-TC58CYG2S0HRAIJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 4Gbit | 300 µs | BLITZ | 512M x 8 | SPI | - | |
| TC58CYG1S3HRAIJ | - | | 4063 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | TC58CYG1 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 1853-TC58CYG1S3HRAIJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 2Gbit | 180 µs | BLITZ | 256M x 8 | SPI | - | |
 | TC58CYG0S3HQAIE | - | | 3892 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | TC58CYG0 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 16-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 168 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | 155 µs | BLITZ | 128M x 8 | SPI | - | ||
| THGBMFG8C2LBAIL | - | | 6731 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Tablett | Veraltet | Oberflächenmontage | THGBMF | 153-FBGA (11,5x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | VERALTET | 0000.00.0000 | 152 |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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