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Integrierte Schaltungen (ICS) (77)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
EM68C16CWQG-25IH Etron Technology, Inc. EM68C16CWQG-25iH 4.8100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga EM68C16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.500 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
EM6HC16EWKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-10IH 2.5809
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6HC16 SDRAM - DDR3 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.500 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
EM639165BM-5H Etron Technology, Inc. EM639165BM-5H 1.8198
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga EM639165 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-FBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM639165BM-5HTR Ear99 8542.32.0002 2.500 200 MHz Flüchtig 128mbit 4,5 ns Dram 8m x 16 Parallel 10ns
EM6AA160BKE-4IH Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4IH 2.7826
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga EM6AA160 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6AA160BKE-4IHTR Ear99 8542.32.0024 2.500 250 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
EM6AA160TSE-4G Etron Technology, Inc. EM6AA160TSE-4G 1.6819
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) EM6AA160 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6AA160TSE-4GTR Ear99 8542.32.0024 1.000 250 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
EM68B08CWAH-25H Etron Technology, Inc. EM68B08CWAH-25H 3.1099
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga EM68B08 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM68B08CWAH-25HTR Ear99 8542.32.0028 2.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
EM6HC08EWUG-10H Etron Technology, Inc. EM6HC08EWUG-10H 3.6828
RFQ
 ECAD 4928 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-VFBGA EM6HC08 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6HC08EWUG-10HTR Ear99 8542.32.0032 2.500 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
EM6HC16EWKG-10H Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-10H 2.2538
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-VFBGA EM6HC16 SDRAM - DDR3 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6HC16EWKG-10HTR Ear99 8542.32.0032 1.500 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
EM6HD08EWUF-10H Etron Technology, Inc. EM6HD08EWUF-10H 2.9953
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga EM6HD08 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6HD08EWUF-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.500 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
EM6GE08EW8D-10H Etron Technology, Inc. EM6GE08EW8D-10H 5.2066
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-VFBGA EM6GE08 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (9x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GE08EW8D-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.500 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
EM6GE16EWXD-10H Etron Technology, Inc. EM6GE16EWXD-10H 5.2066
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6GE16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (9x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GE16EWXD-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.000 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
EM6HE16EWXD-10H Etron Technology, Inc. EM6HE16EWXD-10H 5.2066
RFQ
 ECAD 3438 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6HE16 SDRAM - DDR3 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6HE16EWXD-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.000 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
EM6GA16LCAEA-12H Etron Technology, Inc. EM6GA16LCAEA-12H 2.1700
RFQ
 ECAD 319 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 50-UFBGA, WLCSP EM6GA16 DRAM-RPC 1,425 V ~ 1,575 V. 50-WLCSP (1,96x4,63) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GA16LCAEA-12H Ear99 8542.32.0032 66 800 MHz Flüchtig 256mbit 6 ns Dram 16m x 16 Parallel 15ns
EM6HC16EWXC-12IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWXC-12iH 4.0102
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6HC16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
EM6HC16EWXC-12H Etron Technology, Inc. EM6HC16EWXC-12H 3.6828
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6HC16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
EM6HD16EWBH-10H Etron Technology, Inc. EM6HD16EWBH-10H 5.9374
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-VFBGA EM6HD16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (7,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.500 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
EM6OE08NW9A-07IH Etron Technology, Inc. EM6OE08NW9A-07IH 8.2500
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga EM6OE08 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5 x 10,6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.500 1,333 GHz Flüchtig 4Gbit 18 ns Dram 512 MX 8 Pod 15ns
EM6HB16EWKA-12IH Etron Technology, Inc. EM6HB16EWKA-12iH 3.2261
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-VFBGA EM6HB16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.500 667 MHz Flüchtig 512mbit 20 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
EM6HD16EWBH-10IH Etron Technology, Inc. EM6HD16EWBH-10IH 9.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-VFBGA EM6HD16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (7,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.500 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
EM6HE08EW9G-10H Etron Technology, Inc. EM6HE08EW9G-10H 7.1250
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga EM6HE08 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (7,5 x 10,6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.500 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
EM6GD08EWAHH-10IH Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10IH 3.5028
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-VFBGA EM6GD08 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (7,5 x 10,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-em6gd08ewahh-10ihtr Ear99 8542.32.0036 2.500 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
EM6GE16EWAKG-10H Etron Technology, Inc. EM6GE16EWAKG-10H 5.2066
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6GE16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GE16EWAKG-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.000 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
EM6HD08EWAHH-12H Etron Technology, Inc. EM6HD08EWAHH-12H 5.8500
RFQ
 ECAD 1008 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-VFBGA EM6HD08 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (7,5 x 10,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6HD08EWAHH-12HTR Ear99 8542.32.0036 2.500 800 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
EM6GD08EWAHH-10H Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10H 2.9953
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-VFBGA EM6GD08 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (7,5 x 10,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GD08EWAHH-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.500 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
EM6GE08EW9G-10H Etron Technology, Inc. EM6GE08EW9G-10H 5.2066
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga EM6GE08 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (7,5 x 10,6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GE08EW9G-10HTR Ear99 8542.32.0036 2.500 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
EM6GE16EWAKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6GE16EWAKG-10IH 5.8500
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6GE16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6GE16EWAKG-10IHTR Ear99 8542.32.0036 2.000 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
EM6OE16NWAKA-07H Etron Technology, Inc. EM6OE16NWAKA-07H 7.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EM6OE16 Sdram 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2174-EM6OE16NWAKA-07HTR Ear99 8542.32.0036 2.500 1,333 GHz Flüchtig 4Gbit 18 ns Dram 256 mx 16 Pod 15ns
EM6AC160TSA-4G Etron Technology, Inc. EM6AC160TSA-4G - - -
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) EM6AC160 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 1.000 250 MHz Flüchtig 1Gbit 700 ps Dram 64m x 16 SSTL_2 15ns
EM6GF16EW5A-10ISH Etron Technology, Inc. EM6GF16EW5A-10ISH 20.0250
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 ETRON Technology, Inc. * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000
EM68D16CBQC-18IH Etron Technology, Inc. EM68D16CBQC-18IH 9.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ETRON Technology, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga EM68D16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.500 533 MHz Flüchtig 2Gbit 350 ps Dram 128 MX 16 SSTL_18 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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