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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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![]() | MT47H32M16CC-3: b | - - - | ![]() | 8218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (12x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT58L128L36P1T-7.5it | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4mbit | 4 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | M29W256GL7AZA6E | - - - | ![]() | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | ||||
![]() | MT28F320J3RP-11 ET TR | - - - | ![]() | 7985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F320J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 110 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | M29W800DB70N6T TR | - - - | ![]() | 5605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT58L256L36PT-10 | 6.0300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 8mbit | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT29F2T08GELCEJ4-QM: C Tr | 39.0600 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-mt29f2t08gelcej4-QM: Ctr | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT28GU01GAAA1EGC-0SIT | - - - | ![]() | 8997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | MT28GU01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 96 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT28FW01GABA1HPC-0AAT | - - - | ![]() | 4747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28FW01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 105 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 60ns | |||||
MT29F1G08ABAFAWP-AATES: f | - - - | ![]() | 6153 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 20ns | ||||||
MT25QL128ABA8E12-1SIT | - - - | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
![]() | MT53D512M64D8HR-053 WT ES: B | - - - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (12x12.7) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | ||||
![]() | M58WR064KT70D16 | - - - | ![]() | 7835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | M58WR064 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | PC28F256J3F95B TR | - - - | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 95ns | |||
![]() | MT48LC2M32B2P-7 IT: g | - - - | ![]() | 9512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | 14ns | ||
MT41K64M16TW-107 IT: J. | - - - | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K64M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | |||
MT40A2G4SA-062E: J Tr | - - - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT40A2G4SA-062E: JTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 2g x 4 | Parallel | 15ns | |||
![]() | M29W320DT70N6F TR | - - - | ![]() | 4615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT53D1G16D1Z32MWC1 | - - - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-MT53D1G16D1Z32MWC1 | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT41K512M16V91AWC1 | - - - | ![]() | 1917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | Parallel | ||||||||||
![]() | MT47H16M16BG-5E: B Tr | - - - | ![]() | 4143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-fbga | MT47H16M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 600 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MTFC32GAKAEEF-AAT | - - - | ![]() | 9532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 169-tfbga | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | 169-tfbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||
![]() | MT48LC32M16A2P-75: C Tr | - - - | ![]() | 3469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT46V16M8TG-6T: D Tr | 4.9900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V16M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 16 mx 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | JR28F064M29EWTA | - - - | ![]() | 7874 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JR28F064M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | M45PE40-VMW6TG TR | - - - | ![]() | 1348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | M45PE40 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi | 15 ms, 3 ms | |||
![]() | MT29F256G08CBHBBJ4-3R: B Tr | - - - | ![]() | 9051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
MT29F2G08ABAEAWP-AITX: E Tr | 3.7059 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 AAT: a | - - - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V. | 556-WFBGA (12,4x12,4) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: a | Veraltet | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 48Gbit | 3,5 ns | Dram | 768m x 64 | Parallel | 18ns | |||||
MT29F32G08ABAAAWP: a Tr | - - - | ![]() | 4400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - |
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