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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT25QU128ABA8E12-0SIT TR | 3.3831 | ![]() | 3647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
![]() | MT29F1T08CUCBBH8-6ITR: b | - - - | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-lbga | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | M28W160CB90N6 | - - - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M28W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 90ns | |||
![]() | MT46V32M8TG-5B: G Tr | - - - | ![]() | 4544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT48LC2M32B2P-55: G Tr | - - - | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 183 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT29F4G01ABAFDWB-ITE: F Tr | - - - | ![]() | 1109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 4g x 1 | Spi | - - - | ||||
![]() | NAND08GAH0JZC5E | - - - | ![]() | 2687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-lfbga | NAND08G | Flash - Nand | 3,135 V ~ 3,465V | 153-LFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -Nand08gah0jzc5e | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 1g x 8 | MMC | - - - | ||
MT48H16M32L2B5-8 | - - - | ![]() | 7469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 512mbit | 7,5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT48H16M16LFBF-75 AT: G TR | - - - | ![]() | 7852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H16M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | M29W256GH7AN6E | - - - | ![]() | 8097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT45W8MW16BGX-708 WT TR | - - - | ![]() | 2254 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W8MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 80 MHz | Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Psram | 8m x 16 | Parallel | 70ns | ||
![]() | M25P128-VMFPBALT | - - - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,225 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 15 ms, 7 ms | ||||
![]() | MT29F4G16ABBDAHC-IT: d | - - - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.140 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
MT46H16M32LFB5-6 AT: C Tr | - - - | ![]() | 7626 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | EDB1316BDBH-1DAAT-FR TR | - - - | ![]() | 2892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | EDB1316 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT | - - - | ![]() | 3466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-TFBGA (10,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
![]() | RC28F256J3C125SL7HE | - - - | ![]() | 1509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | RC28F256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 860798 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 125 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 125ns | ||
![]() | MT48LC8M16A2P-75 IT: G TR | - - - | ![]() | 8979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | Mt38m4041a3034ezzi.xk6 | - - - | ![]() | 2839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | MT38M4041 | Flash - Nor, psram | 1,7 V ~ 1,95 V. | 56-VFBGA (8x8) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,560 | 133 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 256Mbit (Flash), 128Mbit (RAM) | Blitz, Ram | 16m x 16, 8m x 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT29F64G08AECABH1-10ITZ: a | 87.1200 | ![]() | 857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT58L256L36PF-7.5 IT | 17.3600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT40A2G4PM-083E: a | - - - | ![]() | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x13.2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 2g x 4 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT45W2MW16BABB-706 L WT | - - - | ![]() | 3169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
MT25QU01GBBBBB8E12-0AAT TR | 17.3100 | ![]() | 1760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
MT40A512M16JY-075E Es: B Tr | - - - | ![]() | 1567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
MT53E1G32D2FW-046 IT: A TR | 27.1500 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT53E1G32D2FW-046it: ATR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | 18ns | |||||||||
![]() | MT29F384G08EBHBBJ4-3RES: B Tr | - - - | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F384G08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 384Gbit | Blitz | 48g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | EDB4432BBBJ-1DAAT-FD | - - - | ![]() | 8621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-FBGA (10x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | M29W256GL7AZS6F TR | - - - | ![]() | 9191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | M50FLW040BNB5G | - - - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm BreiTe) | M50FLW040 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 32-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 250 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | - - - |
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