SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
NAND128W3A0BN6E Micron Technology Inc. NAND128W3A0BN6E - - -
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) NAND128 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 128mbit 50 ns Blitz 16 mx 8 Parallel 50ns
M25PX16-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6TG TR - - -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) M25PX16 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-so w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 75 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT29F128G08CBCABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6: a - - -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-VBGA MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152-VBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 166 MHz Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
EDY4016AABG-JD-F-R TR Micron Technology Inc. Edy4016aabg-jd-fr tr - - -
RFQ
ECAD 3484 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga EDY4016 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 256 mx 16 Parallel - - -
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-75 IT: g - - -
RFQ
ECAD 6867 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC8M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT46H32M32LFB5-5 AT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AT: b - - -
RFQ
ECAD 5517 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 1Gbit 5 ns Dram 32m x 32 Parallel 15ns
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AATES: f - - -
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD - - -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv EMFA232 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1.680
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E AAT: G TR - - -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C - - -
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet MT29AZ5 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Veraltet 1.440
MT47H128M16RT-25E AAT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AAT: c - - -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0036 1.260 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT25QU128ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0SIT 4.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25QU128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.440 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 L: D TR - - -
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 15ns
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 XT: b - - -
RFQ
ECAD 9454 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.360 1,6 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
M29W128GH70N3F TR Micron Technology Inc. M29W128GH70N3F TR - - -
RFQ
ECAD 8723 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.200 Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 70ns
MT40A256M16LY-075:F Micron Technology Inc. MT40A256M16ly-075: f 8.3250
RFQ
ECAD 4286 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen 557-MT40A256M16ly-075: f 1 1,333 GHz Flüchtig 4Gbit 19 ns Dram 256 mx 16 Pod 15ns
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AIT: J Tr 5.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel - - -
MTFC4GLVEA-0M WT Micron Technology Inc. MTFC4GLVEA-0M WT - - -
RFQ
ECAD 3938 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT47H128M16RT-3:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-3: c - - -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 333 MHz Flüchtig 2Gbit 450 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT28F128J3FS-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 ET TR - - -
RFQ
ECAD 5131 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-fbga MT28F128J3 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128mbit 120 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel - - -
RC28F256P30B85A Micron Technology Inc. RC28F256P30B85A - - -
RFQ
ECAD 5594 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC28F256 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 144 52 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 85 ns Blitz 16m x 16 Parallel 85ns
MT44K32M36RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E ES: a Tr - - -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K32M36 RLDRAM 3 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 1.125Gbit 8 ns Dram 32 mx 36 Parallel - - -
MT29F2T08CVCCBG6-6C:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCCBG6-6C: c - - -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 272-LFBGA MT29F2T08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 272-LFBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1 167 MHz Nicht Flüchtig 2tbit Blitz 256g x 8 Parallel - - -
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 T Tr - - -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) MT28F400B5 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 500 Nicht Flüchtig 4mbit 80 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 80ns
M58WR064KU70ZA6F TR Micron Technology Inc. M58WR064KU70ZA6F TR - - -
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 88-VFBGA M58WR064 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 88-VFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 66 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 4m x 16 Parallel 70ns
MT28F320J3RP-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11 MET TR - - -
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F320J3 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Mbit 110 ns Blitz 4m x 8, 2m x 16 Parallel - - -
MT46H32M32LFCM-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCM-5 IT: a - - -
RFQ
ECAD 8092 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 200 MHz Flüchtig 1Gbit 5 ns Dram 32m x 32 Parallel 15ns
MT47H16M16BG-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-5E: B Tr - - -
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-fbga MT47H16M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 256mbit 600 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
N25Q512A83G12H0F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83G12H0F TR - - -
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga N25Q512A83 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 2.500 108 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 128 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT53D4DCNZ-DC Micron Technology Inc. MT53D4DCNZ-DC - - -
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic MT53D4 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1,190
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus