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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
M25P80-VMC6G Micron Technology Inc. M25P80-VMC6G - - -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad M25P80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 490 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR - - -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MTFC4 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MTFC4GLWDM-4MAATZTR Veraltet 1.000
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AITES: f - - -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - 1 (unbegrenzt) 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT46V32M16CY-5B XIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B XIT: J Tr - - -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x12,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MT46V32M16CY-5BXIT: JTR Ear99 8542.32.0028 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT: D Tr 19.1100
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2LZ-107 XT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 216-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 933 MHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT: b - - -
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53E256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MT53E256M32D2DS-053WT: b Ear99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT29F8T08EULCHD5-M:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EulCHD5-M: C Tr 167.8050
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F8T08ECHD5-M: CTR 2.000
M29F400FB55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55M3T2 TR - - -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) M29F400 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 500 Nicht Flüchtig 4mbit 55 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 55ns
MT62F1536M64D8EK-026 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B 102.0600
RFQ
 ECAD 1696 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 441-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: b 1 3,2 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 GX 64 - - - - - -
MT41K512M16HA-125 AIT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 AIT: a - - -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x14) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.020 800 MHz Flüchtig 8gbit 13,5 ns Dram 512 mx 16 Parallel - - -
MT29F4G08AACHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACHC: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W512KW16PEGA-70 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 48-VFBGA MT45W512KW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-VFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 8mbit 70 ns Psram 512k x 16 Parallel 70ns
MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AIT: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MT53E128M32D2DS-046AIT: ATR Ear99 8542.32.0036 2.000 2.133 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 - - - - - -
MT62F1G32D2DS-023 AAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT: c 31.9350
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: c 1 3,2 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 Parallel - - -
MTFC4GACAAEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC4GACAAAEA-WT TR - - -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-AIT: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 6665 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABK3-10Z: a - - -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
M25P16-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P16-VMP6TG TR - - -
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25P16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFPN (6x5) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 4.000 75 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MTFC32GAPALGT-S1 IT Micron Technology Inc. MTFC32Gapalgt-S1 It 25.8300
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Kasten Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - 557-MTFC32Gapalgt-S1it 1 200 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 EMMC_5.1 - - -
MT48H8M16LFB4-75:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75: k - - -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
M25P64-VMF6G Micron Technology Inc. M25P64-VMF6G - - -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) M25P64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 50 50 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT29F4T08EULEEM4-QC:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-QC: e 105.9150
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F4T08EULEEM4-QC: e 1
MT40A2G4PM-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4PM-083E: a - - -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (9x13.2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.020 1,2 GHz Flüchtig 8gbit Dram 2g x 4 Parallel - - -
MTFC4GLWDM-4M AAT A TR Micron Technology Inc. MTFC4GLWDM-4M AAT A TR 11.0850
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MTFC4 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MTFC4GLWDM-4MAATATR 0000.00.0000 2.000
MT29F2T08EMLCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-R: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F2T08 Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: CTR Veraltet 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 2tbit Blitz 256g x 8 Parallel - - -
M28W160CB100N6T TR Micron Technology Inc. M28W160CB100N6T TR - - -
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M28W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 16mbit 100 ns Blitz 1m x 16 Parallel 100ns
RC28F128J3D75D TR Micron Technology Inc. RC28F128J3D75D TR - - -
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC28F128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 128mbit 75 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 75ns
MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAFAH4-S: F Tr - - -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc. MT29KZZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 - - -
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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