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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT40A512M16Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M16Z11BWC1 9.0100
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv - - - Oberflächenhalterung Sterben MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. Wafer - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1 Flüchtig 8gbit Dram 512 mx 16 Parallel - - -
MT29F4T08EMLCHD4-T:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-T: C Tr 83.9100
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: CTR 2.000
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 - - - - - -
MTFC128GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAPALBH-AAT 105.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC128 Flash - Nand - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MTFC128GAPALBH-AAT 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 MMC - - -
MT47H128M16RT-25E AIT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AIT: c 13.3500
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.260 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT62F3G32D8DV-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 WT ES: B Tr 122.7600
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F3G32D8DV-026WTES: BTR 2.000 3,2 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 3g x 32 Parallel - - -
MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBBB8E12E01-2SIIT TR - - -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MTFC8GLWDQ-3M AIT A Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3M AIT a 16.6500
RFQ
 ECAD 859 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MTFC8GLWDQ-3MAITA 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MTFC128GBCAVTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GBCAVTC-EAT ES TR 60.4800
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC128GBCAVTC-ETESTR 2.000
MT25QU128ABB8ESF-0AUT Micron Technology Inc. MT25QU128ABB8ESF-0AUT 5.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25QU128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 16-Sop2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -MT25QU128ABB8ESF-0AUT 3a991b1a 8542.32.0051 1.440 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MTFC128GAVATTC-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAVATTC-AAT TR 61.8150
RFQ
 ECAD 6720 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC128GAVATTC-AATTR 2.000
MT55L256L18F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-12 4.4800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - ZBT 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 500 83 MHz Flüchtig 4mbit 9 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
MTFC256GAVATTC-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC256GAVATTC-AAT TR 90.4350
RFQ
 ECAD 3154 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC256GAVATTC-AATTR 2.000
MT40A512M16JY-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E Es: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 1567 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,33 GHz Flüchtig 8gbit Dram 512 mx 16 Parallel - - -
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc. MT53B4DABNK-DC - - -
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet Oberflächenhalterung 366-WFBGA MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 366-WFBGA (15x15) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1,190 Flüchtig Dram
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT: c - - -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT29F2T08EELCHL4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHL4-QA: C Tr 41.9550
RFQ
 ECAD 8860 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F2T08EELCHL4-QA: CTR 2.000
MT46V16M16BG-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16BG-6 IT: F Tr - - -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-fbga MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
MT40A2G8NEA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E: J. - - -
RFQ
 ECAD 4815 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 557-MT40A2G8NEA-062E: J. Veraltet 1.260 1,6 GHz Flüchtig 16gbit 19 ns Dram 2g x 8 Parallel 15ns
MT60B2G8HS-48B AAT:A TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT: a Tr 31.3050
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - SDRAM - DDR5 - - - - - - - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT: ATR 3.000 2,4 GHz Flüchtig 16gbit 16 ns Dram 2g x 8 Pod - - -
MT62F4G32D8DV-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 FAAT: b 126.4350
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 4g x 32 Parallel - - -
MT42L32M16D1U67MWC1 Micron Technology Inc. MT42L32M16D1U67MWC1 - - -
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TC) MT42L32M16 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1 Flüchtig 512mbit Dram 32m x 16 Parallel
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AAT: E Tr 29.2650
RFQ
 ECAD 5600 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-VFBGA MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT53E768M32D4DT-046AAT: ETR Ear99 8542.32.0036 2.000 2.133 GHz Flüchtig 24gbit Dram 768 mx 32 - - - - - -
MT62F4G32D8DV-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AUT: b 145.4250
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AUT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 4g x 32 Parallel - - -
MTFC8GACAENS-AAT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-AAT - - -
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MTFC128GAPALNS-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNS-AIT - - -
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Lets Kaufen -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC128 Flash - Nand - - - 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 MMC - - -
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-18 IT: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 240-WFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 240-FBGA (14x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 533 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELEEJ4-R: E Tr 10.7250
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C. Oberflächenhalterung 132-vbga Flash - Nand (TLC) 2,6 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - 557-MT29F512G08Ebleej4-R: ETR 2.000 Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
M25P80-VMC6G Micron Technology Inc. M25P80-VMC6G - - -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad M25P80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 490 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR - - -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MTFC4 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MTFC4GLWDM-4MAATZTR Veraltet 1.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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