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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F Tr | 4.1500 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT29F1G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16 Also | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 1g x 1 | Spi | - - - | ||||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: c | 5.6600 | | 16 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,782 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT47H32M16BN-25E IT: D Tr | - - - | | 1907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT46V64M16TG-75: a | - - - | | 3560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 750 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F4G08BABWP-ET TR | - - - | | 1143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT25QU128ABB8E12-0AUT TR | 4.3247 | | 4763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT53B384M32D2NP-062 AAT: b | - - - | | 9672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | ||||
 | MT45W1MW16BAFB-706 WT | - - - | | 1618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT28F400B3SG-8 BET TR | - - - | | 5005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F400B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns | |||
 | MT48LC32M8A2BB-6A: g | - - - | | 5114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | 12ns | ||
| M29W640GL70NA6E | - - - | | 4325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT48LC8M32LFF5-10 IT | - - - | | 9417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | - - - | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | JS28F320J3D75D TR | - - - | | 5315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F320J3 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 75 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 75ns | |||
| MT29F4G16ABADAWP-IT: D Tr | - - - | | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
| MT47H64M8CB-37E ES: b | - - - | | 5980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Flüchtig | 512mbit | 500 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| JS28F256P33B95A | - - - | | 7808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256P33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | ||
 | MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 | - - - | | 9813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT48LC16M8A2P-6A ES: l | - - - | | 4167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | 12ns | ||
 | M25P20-VMN6 | - - - | | 5459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P20 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT49H8M36SJ-25E: b | - - - | | 3627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H8M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FBGA (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1,120 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 15 ns | Dram | 8m x 36 | Parallel | - - - | ||
| MT46V32M8P-5B L: M. | - - - | | 6925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | |||
| M29W200BB70N6E | - - - | | 2516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W200 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT28F400B5SG-8 b | - - - | | 9933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F400B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns | |||
| MT48LC4M32LFB5-10: g | - - - | | 3300 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT29F2T08EELCHL4-QA: C Tr | 41.9550 | | 8860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F2T08EELCHL4-QA: CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D4G16D8AL-062 WT: E TR | - - - | | 3057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D4G16 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT53D4G16D8AL-062WT: ETR | Veraltet | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 4g x 16 | - - - | - - - | |||||||
| MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E | - - - | | 4430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | MT29RZ4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||
| MT28F800B3WG-9 BET TR | - - - | | 7701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
| MT48LC8M32B2B5-7 TR | - - - | | 9761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 14ns | ||
| MT45W4MW16BFB-706 WT F. | - - - | | 5537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 70ns |
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