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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M36P0R8060E0ZAQF TR | - - - |  | 7984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | M36P0R8060 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | ||||||||||||||||
 | EDB2432B4MA-1DAAT-FD | - - - | | 1852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | EDB2432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 64m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | N25Q128A13EF8A0F TR | - - - | | 9470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
| MT46H32M32LFB5-5 AT: b | - - - | | 5517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 32m x 32 | Parallel | 15ns | |||
 | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 | | 8960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28EW01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 128 mx 8, 64 mx 16 | Parallel | 60ns | |||
| M58WR032KB70ZB6W TR | - - - | | 4122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | ||
 | MT41K256M16TW-107 ES: p | 5.8903 | | 9348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0036 | 1,224 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||
 | MT47H128M8B7-5E L: a Tr | - - - | | 1824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 92-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 92-FBGA (11x19) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 600 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
| MT42L128M64D2LL-25 WT: a | - - - | | 3815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 216-FBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 400 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 128 MX 64 | Parallel | - - - | |||
| MTFC16GAPALGT-AIT | - - - | | 3887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC16 | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC16GAPALGT-AIT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||||
| JR28F064M29EWTA | - - - | | 7874 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JR28F064M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT: C Tr | - - - | | 9237 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | ||||
 | M29W128GSL70ZA6E | - - - | | 6975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 816 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| M25PX32-VMW6E | - - - | | 6549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | M25PX32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so w | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT40A256M16GE-062E ES: b | - - - | | 4753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (9x14) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
| MTFC32GASAONS-AAT | 23.2950 | | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 557-MTFC32GASAONS-AAT | 1 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | UFS2.1 | - - - | ||||||||
| MTFC16GLTDV-WT TR | - - - | | 8913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MTFC16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||
| MT53B2DARN-DC | - - - | | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,008 | ||||||||||||||||||||
| M58WR032KU70ZA6U TR | - - - | | 2655 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-vfbga | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 44-VFBGA (7,5x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | ||
| MT46H256M32L4JV-5 IT: b | - - - | | 5614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 8gbit | 5 ns | Dram | 256 mx 32 | Parallel | 15ns | |||
 | MT46H32M32LFB5-5 AAT: b | - - - | | 5639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 32m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT45W4MW16PCGA-70 IT TR | - - - | | 8508 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT46H64M16LFCK-6 IT: A TR | - - - | | 3632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | M28W160ECT70ZB6U TR | - - - | | 7634 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 46-tfbga | M28W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 46-TFBGA (6.39x6.37) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT29F512G08Ebleej4-Qa: e | 13.2450 | | 2426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F512G08Ebleej4-Qa: e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K2G8KJR-125: a Tr | - - - | | 4244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K2G8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (9,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 16gbit | 13,5 ns | Dram | 2g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT29F64G08CBBBL84A3WC1 | - - - | | 4381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | ||||||||
| M58WR032KB70ZB6Z | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | ||
| MT29F8T08GQLCEG8-QB: c | 156.3000 | | 6470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MTFC2GMXEA-WT TR | - - - | | 6441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC2G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-WFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | MMC | - - - |
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