SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT42L128M64D2LL-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-18 WT: a - - -
RFQ
ECAD 9451 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 216-FBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT42L128M64D2LL-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 WT: a - - -
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 216-FBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,008 400 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
RC28F640P30BF65B TR Micron Technology Inc. RC28F640P30BF65B TR - - -
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC28F640 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 52 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 65 ns Blitz 4m x 16 Parallel 65ns
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E AAT: G TR - - -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
JS28F320J3F75A Micron Technology Inc. JS28F320J3F75A - - -
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F320J3 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 32Mbit 75 ns Blitz 4m x 8, 2m x 16 Parallel 75ns
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC-IT: d - - -
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.140 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 256 mx 16 Parallel - - -
JR28F064M29EWLA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWLA - - -
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JR28F064M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
JR28F064M29EWTA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWTA - - -
RFQ
ECAD 7874 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JR28F064M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
JS28F128M29EWHF Micron Technology Inc. JS28F128M29EWHF - - -
RFQ
ECAD 2423 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F128M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 70ns
JS28F128P33TF70A Micron Technology Inc. JS28F128P33TF70A - - -
RFQ
ECAD 4650 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F128P33 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 40 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 8m x 16 Parallel 70ns
JS28F640P30BF75A Micron Technology Inc. JS28F640P30BF75A - - -
RFQ
ECAD 2729 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F640P30 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 40 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 75 ns Blitz 4m x 16 Parallel 75ns
M25P16-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P16-VMF3TPB TR - - -
RFQ
ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) M25P16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 75 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
M25P80-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P80-VMN3PB - - -
RFQ
ECAD 2229 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) M25P80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
M29W256GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6E - - -
RFQ
ECAD 8097 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 256mbit 70 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 70ns
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-ITX: d - - -
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 1g x 1 Spi - - -
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-ITX: e - - -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITX: d - - -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT41J64M16JT-15E XIT:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E XIT: g - - -
RFQ
ECAD 1786 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 667 MHz Flüchtig 1Gbit Dram 64m x 16 Parallel - - -
MT41K128M16JT-125 AIT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AIT: k 7.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1 800 MHz Flüchtig 2Gbit 13.75 ns Dram 128 MX 16 Parallel - - -
MT46V16M16CY-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT: m - - -
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,368 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B XIT: M. - - -
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.080 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
MT47H256M8EB-25E XIT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E XIT: c - - -
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (9x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0036 1,320 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
N25Q032A11ESE40G Micron Technology Inc. N25Q032A11ese40g - - -
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) N25Q032A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 108 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 8m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
N25Q032A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13EF640F TR - - -
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad N25Q032A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFN (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 108 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 8m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
N25Q032A13ESC40F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESC40F TR - - -
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) N25Q032A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 108 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 8m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
N25Q064A11ESE40G Micron Technology Inc. N25Q064A11ese40g - - -
RFQ
ECAD 5721 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) N25Q064A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR - - -
RFQ
ECAD 6083 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
N25Q128A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ese40f Tr - - -
RFQ
ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) N25Q128A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.500 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
N25Q128A13EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF840F TR - - -
RFQ
ECAD 8622 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad N25Q128A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFPN (MLP8) (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
NAND128W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE - - -
RFQ
ECAD 6249 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) NAND128 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 128mbit 50 ns Blitz 16 mx 8 Parallel 50ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus