SIC
close
Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 IT: a - - -
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-VFBGA MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 168-VFBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 8gbit 5 ns Dram 256 mx 32 Parallel 15ns
MT46H32M16LFBF-5 IT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 IT: c 5.6600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-VFBGA MT46H32M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-VFBGA (8x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1,782 200 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT46H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6 IT: k - - -
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H4M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 166 MHz Flüchtig 128mbit 5 ns Dram 4m x 32 Parallel 15ns
MT46H4M32LFB5-6:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6: k - - -
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H4M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 166 MHz Flüchtig 128mbit 5 ns Dram 4m x 32 Parallel 15ns
MT46V32M16CY-5B:J Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B: J. - - -
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1,368 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT46V32M16P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B: J. - - -
RFQ
ECAD 1582 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.080 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT46V64M8BN-6 L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 L: f - - -
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT46V64M8P-5B L IT:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B L es: f - - -
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT47H128M16RT-25E AIT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AIT: c 13.3500
RFQ
ECAD 7967 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.260 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT47H128M16RT-25E:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E: c 14.6300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.260 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT47H128M16RT-3:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-3: c - - -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 333 MHz Flüchtig 2Gbit 450 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E: g - - -
RFQ
ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 128 mx 4 Parallel 15ns
MT47H128M8CF-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 IT: h - - -
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT47H128M8JN-25E:H Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-25E: h - - -
RFQ
ECAD 9309 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT47H128M8JN-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-3 ES: h - - -
RFQ
ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT47H256M8EB-25E IT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E ES: c - - -
RFQ
ECAD 6195 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (9x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,320 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
MT47H32M16HR-25E AAT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AAT: g - - -
RFQ
ECAD 6168 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT47H32M16HR-25E L:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E L: g - - -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT47H512M8WTR-3:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-3: c - - -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 63-tfbga MT47H512M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 63-FBGA (9x11.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 333 MHz Flüchtig 4Gbit 450 ps Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT: h - - -
RFQ
ECAD 6348 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT47H64M16HR-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3: h - - -
RFQ
ECAD 8949 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E ES: g - - -
RFQ
ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT47H64M8CF-25E L:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E L: g - - -
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT48H16M32LFB5-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48H16M32LFB5-75 IT: c - - -
RFQ
ECAD 4652 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT48H4M16LFB4-75:H Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-75: h - - -
RFQ
ECAD 7536 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 64Mbit 6 ns Dram 4m x 16 Parallel 15ns
MT48H4M32LFB5-75:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-75: k - - -
RFQ
ECAD 7387 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H4M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel 15ns
MT48H8M16LFB4-75:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75: k - - -
RFQ
ECAD 8209 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT48LC16M16A2P-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 IT: d - - -
RFQ
ECAD 5544 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC16M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel 15ns
RC28F640J3D75B TR Micron Technology Inc. RC28F640J3D75B TR - - -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC28F640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 64Mbit 75 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 75ns
PC28F640P30T85B TR Micron Technology Inc. PC28F640P30T85B TR - - -
RFQ
ECAD 9432 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F640 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 52 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 85 ns Blitz 4m x 16 Parallel 85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus