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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MTFC16GAPALBH-AAT ES | - | ![]() | 7507 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-TFBGA | MTFC16 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,9 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 1 (Unbegrenzt) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT41K512M8RH-107:E | - | ![]() | 3924 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (9x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | - | ||
![]() | EDFP164A3PD-MD-FD | - | ![]() | 4172 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | - | EDFP164 | SDRAM – Mobiles LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.260 | 1067 MHz | Flüchtig | 24Gbit | DRAM | 384M x 64 | Parallel | - | ||||
| MT48H8M32LFB5-75 AT:H | - | ![]() | 6325 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM – Mobiles LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT46V64M8BN-75 IT:D | - | ![]() | 8561 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - | ROHS3-konform | 5 (48 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 750 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MTC10C1084S1TC48BAZ | 171.6000 | ![]() | 3959 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MTC10C1084S1TC48BAZ | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QA:E TR | 52.9800 | ![]() | 5101 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QA:ETR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR | 136.1250 | ![]() | 4726 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF:KTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT28F400B3SG-8 T TR | - | ![]() | 3871 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-SOIC (0,496", 12,60 mm Breite) | MT28F400B3 | BLITZ - NOCH | 3V ~ 3,6V | 44-SO | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht flüchtig | 4Mbit | 80 ns | BLITZ | 512K x 8, 256K x 16 | Parallel | 80er Jahre | |||
![]() | MTFC32GJUEF-AIT TR | - | ![]() | 7288 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 169-TFBGA | MTFC32G | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-TFBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | |||||
![]() | M25P40-VMN3TP/X TR | - | ![]() | 8776 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schnittband (CT) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | M25P40 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 50 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | BLITZ | 512K x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT46V32M8TG-75Z:G TR | - | ![]() | 8850 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 750 PS | DRAM | 32M x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR | 2.8500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | - | ||||
| MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR | - | ![]() | 4207 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 432-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | ||||
![]() | MT46V64M8P-6T L:F TR | - | ![]() | 6883 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 4 (72 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT40A512M8RH-083E:B | - | ![]() | 8782 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (9x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | DRAM | 512M x 8 | Parallel | - | |||
![]() | MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR | 7.7400 | ![]() | 8057 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | MT53D512M16D1DS-046WT:DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 8Gbit | DRAM | 512M x 16 | - | - | ||
![]() | MT48LC2M32B2P-6A:J | - | ![]() | 7518 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | 12ns | ||
![]() | MT41K2G4TRF-107:E | - | ![]() | 2736 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (9,5 x 11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 2G x 4 | Parallel | - | |||
![]() | MT58L32L32FT-8 | 5.8800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | SRAM – Standard | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | herunterladen | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | SRAM | 32K x 32 | Parallel | - | |||||
![]() | MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR | - | ![]() | 9877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F8G16 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 8Gbit | BLITZ | 512M x 16 | Parallel | - | ||||
![]() | MT41K128M8DA-107 IT:J | - | ![]() | 1403 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.440 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 8 | Parallel | - | ||
| MT47H32M16HR-25E AIT:G | - | ![]() | 4299 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns |

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