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Integrierte Schaltkreise (ICs)(10403)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC32GAOALEA-WT ES TR | - |  | 1015 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | MTFC32G | - | REACH Unberührt | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | MT44K32M18RB-093:A | - | | 9068 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-TBGA | MT44K32M18 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576Mbit | 10 ns | DRAM | 32M x 18 | Parallel | - | ||
 | MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR | 9.3900 | | 3436 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | herunterladen | 557-MT53E256M16D1FW-046AAT:BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 18ns | |||||||
| MT53D768M32D2NP-046 WT:A TR | - | | 7868 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | - | 557-MT53D768M32D2NP-046WT:ATR | VERALTET | 2.000 | ||||||||||||||||||||
 | RC28F00AM29EWHA | - | | 8077 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-LBGA | RC28F00 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Nicht flüchtig | 1Gbit | 100 ns | BLITZ | 128M x 8, 64M x 16 | Parallel | 100ns | |||
 | MT53B768M32D4NQ-053 WT:B | - | | 2625 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 24Gbit | DRAM | 768M x 32 | - | - | |||
 | N25Q256A13E1240E | - | | 8129 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | N25Q256A13 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 557-1564 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||
| MTFC256GAXAUEA-WT | 27.5700 | | 9272 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | -25°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 153-WFBGA | FLASH - NAND (SLC) | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC256GAXAUEA-WT | 1 | Nicht flüchtig | 2Tbit | BLITZ | 256G x 8 | UFS | - | |||||||||
| MT35XU02GCBA1G12-0AUT | 45.1100 | | 405 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™ - MT35X | Tablett | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 24-TBGA | MT35XU02 | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | -791-MT35XU02GCBA1G12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | Xccela-Bus | - | ||
 | MT49H8M36FM-25 TR | - | | 9416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | MT49H8M36 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FBGA (18,5x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 8M x 36 | Parallel | - | ||
 | MT25QL01GBBB8ESF-0AAT | 18.1100 | | 6341 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | MT25QL01 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | -791-MT25QL01GBBB8ESF-0AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | ||
 | MT48LC8M16A2P-7E:G | - | | 5375 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | MT48LC8M16A2P7EG | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | 14ns | |
 | MT53D384M32D2DS-046 AAT:C | - | | 8412 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12Gbit | DRAM | 384M x 32 | - | - | ||||
| MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR | - | | 1649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B1536 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 6Gbit | DRAM | 1,5G x 32 | - | - | |||
| EDB4432BBBH-1D-FD | - | | 1112 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM – Mobiles LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-FBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.680 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | DRAM | 128M x 32 | Parallel | - | ||||
 | MT48H8M16LFB4-8 TR | - | | 5273 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM – Mobiles LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 7 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT47H64M8SH-25E IT:H TR | - | | 9904 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | MT47H64M8SH-25EIT:HTR | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48V8M32LFF5-10 IT | - | | 2444 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM – Mobiles LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 7 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT28F640J3BS-115 GMET | - | | 9289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-FBGA | MT28F640J3 | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 64Mbit | 115 ns | BLITZ | 8M x 8, 4M x 16 | Parallel | - | |||
| MT29F512G08EBLEEJ4-M:E TR | 10.7250 | | 4815 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-M:ETR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR | 21.9750 | | 3913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Letzter Kauf | -40°C ~ 125°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | MT53D512M32D2DS-053AUT:DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16Gbit | DRAM | 512M x 32 | - | - | ||
 | PC28F128J3D75E | - | | 5448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-TBGA | PC28F128 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 75 ns | BLITZ | 16M x 8, 8M x 16 | Parallel | 75ns | |||
| MTFC256GBCAQTC-IT | 95.4200 | | 1873 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Aktiv | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 557-MTFC256GBCAQTC-IT | 1.520 | |||||||||||||||||||
| MT45W8MW16BGX-701 IT | - | | 8648 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | MT45W8MW16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | 104 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 70 ns | PSRAM | 8M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||
| MT62F1536M32D4DS-026 WT ES:B | 51.0300 | | 8615 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026WTES:B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT58L256L18P1T-5 | 5.8700 | | 16 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | MT58L1MY18 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 4Mbit | 2,8 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | ||
| M29W640GL70ZF3F TR | - | | 1316 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-TBGA | M29W640 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht flüchtig | 64Mbit | 70 ns | BLITZ | 8M x 8, 4M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| MT48LC64M4A2TG-75:D TR | - | | 1331 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schnittband (CT) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64M x 4 | Parallel | 15ns | ||
| M58LR256KB70ZC5F TR | - | | 5076 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 79-VFBGA | M58LR256 | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 2 V | 79-VFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | 70 ns | BLITZ | 16M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||
| MT30AZZZDDB0TPWL-031 WL.19R | 108.7200 | | 7884 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19R | 1 |
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