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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT53D4DCFL-DC | - - - | ![]() | 9180 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,120 | |||||||||||||||||||
![]() | EDBA232B2PF-1D-FD | - - - | ![]() | 7796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-tfbga | EDBA232 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 168-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.680 | 533 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT29F512G08CKKABH7-6: a | - - - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-Tbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-TBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT53B512M64D4EZ-062 WT: B Tr | - - - | ![]() | 4792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | ||||
![]() | MT46V128M4FN-5B: D Tr | 21.1800 | ![]() | 981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT25QL128ABB1EW7-CAUT | - - - | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.940 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||
![]() | MT49H16M36SJ-25: B Tr | - - - | ![]() | 2906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FBGA (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT46V64M8P-5B: J Tr | 4.4642 | ![]() | 1129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 WT: d | - - - | ![]() | 3424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
MT48H4M16LFF4-8 | - - - | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | |||
MT46H64M16LFBF-5 AAT: B Tr | - - - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT28F004B5VG-8 b | - - - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F004B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 40-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 80ns | |||
MT41K128M16JT-107 ES: K TR | 6.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | M29W800ft70Za3SF Tr | - - - | ![]() | 8321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | ||||
![]() | MT46V64M4P-5B: m | - - - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M4 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 64m x 4 | Parallel | 15ns | |||
MT61M256M32JE-10 N: a Tr | - - - | ![]() | 8950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 180-tfbga | MT61M256 | SGRAM - GDDR6 | 1,21 V ~ 1,29 V. | 180-FBGA (12x14) | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,25 GHz | Flüchtig | 8gbit | RAM | 256 mx 32 | Parallel | - - - | |||||||
![]() | MT28F640J3BS-115 GMET TR | - - - | ![]() | 1546 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-fbga | MT28F640J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 115 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | M25P05-AVMN6P | - - - | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P05-A | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT48LC8M16A2TG-75: g | - - - | ![]() | 2535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT28F800B3WG-9 Wette | - - - | ![]() | 1677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
![]() | MT48LC2M32B2TG-6 IT: g | - - - | ![]() | 3376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | 12ns | ||
![]() | MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR | - - - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | ||||
MT35XU02GCBA3G12-0SIT TR | - - - | ![]() | 5854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU02 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Xccela -bus | - - - | ||||
![]() | M29F200ft5an6f2 tr | - - - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F200 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
MT29F256G08CBCBBWWWP-10M: B Tr | - - - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT28F128J3BS-12 MET | - - - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-fbga | MT28F128J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 120 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | M29F040B90N6 | - - - | ![]() | 9435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F040 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 90 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 90ns | |||
MT29F512G08CFCBBWWWP-10M: b | - - - | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 960 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | M29W256GH70N6F TR | - - - | ![]() | 6097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | |||
MT48V8M32LFF5-10 TR | - - - | ![]() | 3571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - - - | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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