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Integrierte Schaltkreise (ICs)(10403)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | SIC programmierbar | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC16M8A2BB-6A:L | - |  | 2039 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-FBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 60-FBGA (8x16) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 8 | Parallel | 12ns | |||
 | MTFC32GJWDQ-4M AIT Z | - | | 9289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 100-LBGA | MTFC32G | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 980 | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D | - | | 8088 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-VBGA | MT29F128G08 | FLASH - NAND | Nicht verifiziert | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | Parallel | - | |||||
 | MTFC16GAKAENA-4M IT TR | - | | 5576 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-TBGA | MTFC16 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,9 V | 100-TBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | MMC | - | ||||||
 | NAND02GW3B2DN6E | - | | 8875 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | NAND02G | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | -NAND02GW3B2DN6E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | Nicht flüchtig | 2Gbit | 25 ns | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | 25ns | |||
 | MT46V32M8FG-75 L:G | - | | 5837 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-FBGA | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 750 PS | DRAM | 32M x 8 | Parallel | 15ns | |||
| MT40A2G16SKL-062E:B TR | - | | 6819 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | TwinDie™ | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | MT40A2G16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (10,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 557-MT40A2G16SKL-062E:BTR | VERALTET | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,6 GHz | Nicht flüchtig | 32Gbit | 13,75 ns | DRAM | 2G x 16 | Parallel | - | |||
 | MT40A4G4DVN-075H:E TR | - | | 9664 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 557-MT40A4G4DVN-075H:ETR | VERALTET | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 16Gbit | 27 ns | DRAM | 4G x 4 | Parallel | - | ||||
 | PC28F256P33T2E | - | | 2394 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 64-TBGA | PC28F256 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | 52 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 16M x 16 | Parallel | - | ||||
| MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR | - | | 3256 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 272-VFBGA | MT29F1HT08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 272-VBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Nicht flüchtig | 1,5 Tbit | BLITZ | 192G x 8 | Parallel | - | ||||
| MT41K512M8V80AWC1 | - | | 8612 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Flüchtig | 4Gbit | DRAM | 512M x 8 | Parallel | - | ||||||
| M29F400FT55M3F2 TR | - | | 4962 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-SOIC (0,496", 12,60 mm Breite) | M29F400 | BLITZ - NOCH | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht flüchtig | 4Mbit | 55 ns | BLITZ | 512K x 8, 256K x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | MT53E512M16D1FW-046 AIT:D | 9,3750 | | 9680 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT:D | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 18ns | ||||||||
| MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR | - | | 9801 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -25°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 240-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 240-WFBGA (14x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5 ns | DRAM | 128M x 32 | Parallel | 15ns | ||||
| M29W256GH7AN6F TR | - | | 4597 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | M29W256 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht flüchtig | 256 Mbit | 70 ns | BLITZ | 32M x 8, 16M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||||
 | MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR | - | | 9769 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-LBGA | MT29F512G08 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-LBGA (12x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 2.000 | 83 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | Parallel | - | |||||
 | MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR | - | | 7274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Letzter Kauf | -40°C ~ 125°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16Gbit | DRAM | 512M x 32 | - | - | ||||
| MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C | 20.9850 | | 1596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| M28W160CT70N6F TR | - | | 9024 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | M28W160 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht flüchtig | 16Mbit | 70 ns | BLITZ | 1M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||||
| M50FW040NB5TG TR | - | | 5257 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -20°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,488", 12,40 mm Breite) | M50FW040 | BLITZ - NOCH | 3V ~ 3,6V | 32-TSOP | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 33 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | 250 ns | BLITZ | 512K x 8 | Parallel | - | |||
 | JS28F256M29EWHB TR | - | | 1297 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | JS28F256M29 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht flüchtig | 256 Mbit | 110 ns | BLITZ | 32M x 8, 16M x 16 | Parallel | 110ns | ||||
 | MT29F2G08ABDHC:D TR | - | | 2150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | - | |||||
 | MT48LC16M8A2P-7E:G TR | - | | 6899 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 8 | Parallel | 14ns | |||
| MT29F1T08EELCEJ4-QJ:C | 30.2700 | | 8516 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT29F1T08EELCEJ4-QJ:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT47H256M8THN-3:H | - | | 5471 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-FBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 PS | DRAM | 256M x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT49H8M36BM-33 TR | - | | 4854 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | MT49H8M36 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-µBGA (18,5 x 11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 300 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 8M x 36 | Parallel | - | |||
 | MT40A1G8AG-062E AIT:R TR | - | | 7899 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | REACH Unberührt | 557-MT40A1G8AG-062EAIT:RTR | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABADAH4-ITX:D | - | | 4640 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 2832-MT29F1G08ABADAH4-ITX:D | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | Parallel | - | ||||
| MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR | - | | 1013 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 256-WFBGA | MT52L512 | SDRAM – Mobiles LPDDR3 | 1,2V | 256-FBGA (14x14) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 32Gbit | DRAM | 512M x 64 | - | - | |||||
 | MT48V8M32LFF5-10 TR | - | | 3571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM – Mobiles LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 7 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | 15ns |
2000+
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