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Integrierte Schaltkreise (ICs)(10403)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC32GAPALHT-AIT | - |  | 8682 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | MTFC32G | FLASH - NAND | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 557-MTFC32GAPALHT-AIT | 8542.32.0071 | 980 | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | |||||||
 | PC28F128P30TF65A | - | | 2214 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-TBGA | PC28F128 | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 2 V | 64-EasyBGA (10x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 65 ns | BLITZ | 8M x 16 | Parallel | 65ns | ||
 | MT28EW256ABA1HPC-1SIT | - | | 2858 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-LBGA | MT28EW256 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Nicht flüchtig | 256 Mbit | 75 ns | BLITZ | 32M x 8, 16M x 16 | Parallel | 60ns | |||
 | MT29F256G08AKEBBH7-12:B | - | | 1035 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 152-TBGA | MT29F256G08 | FLASH - NAND (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | Parallel | - | ||||
| MT46H64M32L2JG-6:A | - | | 5754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | DRAM | 64M x 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT53D1G32D4BD-053 WT:D | - | | 1221 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||||||
| MTFC128GAXATEA-WT | 20.4900 | | 9129 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | -25°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 153-WFBGA | FLASH - NAND (SLC) | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC128GAXATEA-WT | 1 | Nicht flüchtig | 1Tbit | BLITZ | 128G x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||||
| MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 19.8600 | | 8676 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR | - | | 7859 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 130-VFBGA | MT29C1G12 | FLASH – NAND, mobiles LPDRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Nichtflüchtig, flüchtig | 1 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128M x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDRAM) | Parallel | - | |||
| MTFC4GGQDQ-IT | - | | 9042 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | - | - | MTFC4 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 32Gbit | BLITZ | 4G x 8 | MMC | - | ||||
 | N25Q128A13ESEDFF TR | - | | 5010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | N25Q128A13 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT | - | | 7066 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | MT25QL01 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | herunterladen | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||||
 | MT41J64M16JT-15E:G TR | - | | 9681 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (8x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | DRAM | 64M x 16 | Parallel | - | |||
| MT49H32M9BM-25:B TR | - | | 3246 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | MT49H32M9 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-µBGA (18,5 x 11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 32M x 9 | Parallel | - | ||
| MT47H128M8SH-25E:M | - | | 1198 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.518 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48LC4M16A2TG-7E IT:G | - | | 8819 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | 14ns | ||
| MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | - | | 3570 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | FLASH – NAND, DRAM – LPDDR2 | 1,8V | 162-VFBGA (10,5x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | Nichtflüchtig, flüchtig | 4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDDR2) | FLASH, RAM | 128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | Parallel | - | |||
| MT42L256M64D4LD-18 WT:A | - | | 1275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 220-VFBGA | MT42L256M64 | SDRAM – Mobiles LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 220-FBGA (14x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 16Gbit | DRAM | 256M x 64 | Parallel | - | ||||
 | MT46V64M4P-5B:M | - | | 2005 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT46V64M4 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 4 | Parallel | 15ns | |||
| M58BW32FT4D150 | - | | 6077 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | - | - | - | M58BW32 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | Nicht flüchtig | 32Mbit | 45 ns | BLITZ | 4M x 8 | Parallel | 45ns | ||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A | - | | 2371 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-VBGA | MT29F2T08 | FLASH - NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.120 | 333 MHz | Nicht flüchtig | 2Tbit | BLITZ | 256G x 8 | Parallel | - | |||
| MT53D384M64D4SB-046 XT:E | 36.7950 | | 4307 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Aktiv | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133 GHz | Flüchtig | 24Gbit | DRAM | 384M x 64 | - | - | |||
| MT49H32M18CBM-18:B | - | | 7752 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | MT49H32M18 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-µBGA (18,5 x 11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 32M x 18 | Parallel | - | ||
 | MT25TL512HAA1ESF-0AAT | - | | 1255 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | MT25TL512 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.400 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | BLITZ | 64M x 8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | ||||
| M29W128GH60ZA6E | - | | 7391 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-TBGA | M29W128 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 60 ns | BLITZ | 16M x 8, 8M x 16 | Parallel | 60ns | |||
| EDFA364A3PK-GD-FD | - | | 2113 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDFA364 | SDRAM – Mobiles LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.190 | 800 MHz | Flüchtig | 16Gbit | DRAM | 256M x 64 | Parallel | - | |||
| MT53D8DAWF-DC TR | - | | 8420 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Aktiv | MT53D8 | - | REACH Unberührt | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | MT46H16M16LFBF-5 IT:H | - | | 9997 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F1T08CUECBH8-12:C TR | - | | 6167 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 152-LBGA | MT29F1T08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-LBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht flüchtig | 1Tbit | BLITZ | 128G x 8 | Parallel | - | |||
| M29W128GH7AZS6E | - | | 4969 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-LBGA | M29W128 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 70 ns | BLITZ | 16M x 8, 8M x 16 | Parallel | 70er Jahre |
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