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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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![]() | M25PX64S-VMF6TP TR | - - - | ![]() | 3130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25PX64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT53D512M32D2NP-046 WT ES: e | - - - | ![]() | 4832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||||
![]() | MT29F1G08ABADAH4-ITE: D Tr | - - - | ![]() | 6982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
MT29F1G08ABAEAWP-AITX: E Tr | 2.4831 | ![]() | 2734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT25QU256ABA8ESF-MSIT TR | - - - | ![]() | 8076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25QU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J | - - - | ![]() | 8869 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | MT29VZZZZBD8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-mt29vzzzbd8fqKSM-046W.G8J | Veraltet | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | M28W320FCB70ZB6F TR | - - - | ![]() | 3858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 47-tfbga | M28W320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 47-TFBGA (6.39x6.37) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT46V32M16TG-5B: f | - - - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT29F64G08Cbedbj4-12m: D Tr | - - - | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 WT: d | - - - | ![]() | 3424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AAT ES: C Tr | - - - | ![]() | 4598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | ||||
MT29F16G08ABACAWP-IT: C Tr | - - - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | MT53D4DCSB-DC | - - - | ![]() | 9813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CBCCBH6-6itR: c | - - - | ![]() | 4845 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT46V32M4P-5B: d | - - - | ![]() | 6556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M4 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 32m x 4 | Parallel | 15ns | ||
![]() | M25P80S-VMN6TP TR | - - - | ![]() | 8207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P80 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR | - - - | ![]() | 1932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | MT28EW128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-VFBGA (7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
![]() | MT48LC16M16A2TG-6A: D Tr | - - - | ![]() | 6936 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns | ||
![]() | M28W640HST70ZA6F TR | - - - | ![]() | 3731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-tfbga | M28W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TFBGA (10,5x6,39) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
![]() | MT29F1G01ABBFDSF-IT: f | - - - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT29F1G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 16 Also | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.440 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 1g x 1 | Spi | - - - | ||||
MT48H4M16LFF4-8 | - - - | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT47H32M16BN-37E IT: D Tr | - - - | ![]() | 7565 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Flüchtig | 512mbit | 500 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
MT53D1024M64D8NW-046 WT: D Tr | - - - | ![]() | 4207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 1g x 64 | - - - | - - - | ||||
RD48F3000P0ZTQEA | - - - | ![]() | 7352 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 88-TFBGA, CSPBGA | RD48F3000 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 88-SCSP (8x10) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -RD48F3000P0ZTQEA | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 65 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 65ns | ||
MT46H64M16LFBF-5 AAT: B Tr | - - - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT58L128V32P1T-7.5 | 4.9100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4mbit | 4 ns | Sram | 128K x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT25QL01GBBBBB8ESFE01-2sit | - - - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25QL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | Emba164B2PR-DV-FD | - - - | ![]() | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.680 | |||||||||||||||||
![]() | MT48LC16M8A2P-7E: G Tr | - - - | ![]() | 6899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | 14ns | ||
![]() | M50FLW040ANB5TG TR | - - - | ![]() | 9652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm BreiTe) | M50FLW040 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 32-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 33 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 250 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | - - - |
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