SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-053 WT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 366-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT29F1G08ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABCHC-ET: C Tr - - -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Parallel - - -
PC28F128J3D75B TR Micron Technology Inc. PC28F128J3D75B TR - - -
RFQ
ECAD 2578 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 128mbit 75 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 75ns
MT48V8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 IT Tr - - -
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48V8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 2,3 V ~ 2,7 V 90-VFBGA (8x13) - - - ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 100 MHz Flüchtig 256mbit 7 ns Dram 8m x 32 Parallel 15ns
MT25QU256ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW9-0SIT 6.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad MT25QU256 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-wpdfn (8x6) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.920 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
M29F160FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F160ft55N3F2 TR - - -
RFQ
ECAD 4492 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29F160 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 16mbit 55 ns Blitz 2m x 8, 1m x 16 Parallel 55ns
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-10 IT: G TR - - -
RFQ
ECAD 5301 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48V8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 2,3 V ~ 2,7 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 100 MHz Flüchtig 128mbit 7 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT29F2T08EMLKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLKEM4-ITF: K Tr 64,8000
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF: KTR 2.000
MT53D4DADT-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DADT-DC Tr - - -
RFQ
ECAD 2839 0.00000000 Micron Technology Inc. * Band & Rollen (TR) Aktiv MT53D4 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 2.000
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AAT: a 8.7450
RFQ
ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: a 1 2.133 GHz Flüchtig 4Gbit 3,5 ns Dram 128 mx 32 Parallel 18ns
MT28F800B3SG-9 T TR Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 T Tr - - -
RFQ
ECAD 2356 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) MT28F800B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 44 Also Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 500 Nicht Flüchtig 8mbit 90 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 90ns
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-6A: G Tr - - -
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-fbga MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 60-FBGA (8x16) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 12ns
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2F4-7E: G Tr - - -
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC4M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel 14ns
MT53D768M64D8RG-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT: d - - -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 - - - - - -
EDB4432BBPA-1D-F-R Micron Technology Inc. EDB4432BBBPA-1D-FR - - -
RFQ
ECAD 4001 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-WFBGA EDB4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 168-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 Parallel - - -
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 267 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT28F800B5SG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 Wette - - -
RFQ
ECAD 1154 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) MT28F800B5 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 500 Nicht Flüchtig 8mbit 80 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 80ns
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L: g - - -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC8M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 8m x 8 Parallel 14ns
MT28F008B3VP-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VP-9 B Tr - - -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F008B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8mbit 90 ns Blitz 1m x 8 Parallel 90ns
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 AIT: E TR - - -
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 800 MHz Flüchtig 4Gbit 13.75 ns Dram 256 mx 16 Parallel - - -
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT ES: D. - - -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.360 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ATX: E Tr - - -
RFQ
ECAD 6459 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT48LC16M16A2B4-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E: g - - -
RFQ
ECAD 6311 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1,560 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel 14ns
MT46V32M16TG-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B: c - - -
RFQ
ECAD 3819 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop - - - Rohs Nick Konform 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2TG-75 IT: d - - -
RFQ
ECAD 6401 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 15ns
MT62F1536M64D8CH-031 WT:A TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CH-031 WT: a Tr - - -
RFQ
ECAD 3231 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F1536M64D8CH-031WT: ATR Veraltet 2.000 3,2 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 GX 64 Parallel - - -
N25Q008A11ESC40FS01 TR Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40FS01 TR - - -
RFQ
ECAD 9620 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.500 108 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 8 ms, 5 ms
MT46V256M4TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-75: a - - -
RFQ
ECAD 7113 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V256M4 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 133 MHz Flüchtig 1Gbit 750 ps Dram 256 mx 4 Parallel 15ns
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-ITZ: c - - -
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
PC28F128G18AE Micron Technology Inc. PC28F128G18AE - - -
RFQ
ECAD 9084 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Rohr Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 96 ns Blitz 8m x 16 Parallel 96ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus