SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MTFC8GAMALNA-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC8GAMALNA-AIT TR - - -
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 TBGA MTFC8 Flash - Nand - - - 100-TBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBBB8E12E01-2sit - - -
RFQ
ECAD 7066 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
JR28F064M29EWHA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWHA - - -
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JR28F064M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-7E IT: D Tr - - -
RFQ
ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC16M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel 14ns
MT41K256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-187E: d - - -
RFQ
ECAD 1566 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (9x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 2Gbit 13.125 ns Dram 256 mx 8 Parallel - - -
N25Q128A13BF840E Micron Technology Inc. N25Q128A13BF840E - - -
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad N25Q128A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFPN (MLP8) (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 320 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 5 ms
MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NY-046 XT ES: D. - - -
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ECAD 1569 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 - - - - - -
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: a - - -
RFQ
ECAD 1553 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2,5 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,120 333 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT48H16M32L2F5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 IT - - -
RFQ
ECAD 6181 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 125 MHz Flüchtig 512mbit 7,5 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
N25Q064A13EW74ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW74ME - - -
RFQ
ECAD 9360 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 2.940 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT ES: B - - -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1,190 1,6 GHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 - - - - - -
MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-IT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F16G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 2g x 8 Parallel - - -
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M16D1NY-046 XT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 8212 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 2.133 GHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
N25Q064A11E12A0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A11E12A0F TR - - -
RFQ
ECAD 7574 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga N25Q064A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F384G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 267 MHz Nicht Flüchtig 384Gbit Blitz 48g x 8 Parallel - - -
MT28F128J3BS-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3BS-12 ET TR - - -
RFQ
ECAD 1676 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-fbga MT28F128J3 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128mbit 120 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel - - -
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAL83A3WC1 - - -
RFQ
ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
MT29F256G08CKCBBH2-10:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CCCCCCBBH2-10: b - - -
RFQ
ECAD 5586 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 TBGA MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 100-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR - - -
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ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 168-VFBGA 168-VFBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000
MT41K64M16TW-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107: J Tr 5.0100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel - - -
M29W320ET70ZE6E Micron Technology Inc. M29W320ET70ZE6E - - -
RFQ
ECAD 9395 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga M29W320 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 187 Nicht Flüchtig 32Mbit 70 ns Blitz 4m x 8, 2m x 16 Parallel 70ns
MT35XL01GBBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA1G12-0AAT 22.1200
RFQ
ECAD 945 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Xccela -bus - - -
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AAT: E Tr - - -
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ECAD 1506 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 200-tfbga MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E384M32D2FW-046AAT: ETRTB Veraltet 1 1.066 GHz Flüchtig 12gbit 3,5 ns Dram 384m x 32 Parallel 18ns
MTFC64GBCAQTC-IT TR Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-IT TR 20.2500
RFQ
ECAD 5370 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC64GBCAQTC-ITTR 2.000
JS28F256P30B95B TR Micron Technology Inc. JS28F256P30B95B TR - - -
RFQ
ECAD 6832 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F256P30 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.600 40 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 95 ns Blitz 16m x 16 Parallel 95ns
MT58V512V36FF-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36FF-7,5 18.7900
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Standard 2.375 V ~ 2,625 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 18mbit Sram 512k x 36 Parallel - - -
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAH4-AATES: f - - -
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.620 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT40A2G8AG-062E AIT:F TR Micron Technology Inc. MT40A2G8AG-062E AIT: f Tr 18.0450
RFQ
ECAD 8981 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) - - - - - - SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. - - - - - - 557-MT40A2G8AG-062EAIT: ftr 2.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit 19 ns Dram 2g x 8 Parallel 15ns
MT46V32M16BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6: F Tr - - -
RFQ
ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MTFC4GMTEA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMTEA-4M IT Tr - - -
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus