SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT46V32M16P-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T: F Tr - - -
RFQ
ECAD 4618 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT28F800B3SG-9 T TR Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 T Tr - - -
RFQ
ECAD 2356 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) MT28F800B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 44 Also Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 500 Nicht Flüchtig 8mbit 90 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 90ns
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AAT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAM69A3WC1 - - -
RFQ
ECAD 2031 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT40A1G16HBA-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A1G16HBA-083E: a Tr - - -
RFQ
ECAD 9096 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (9,5x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,2 GHz Flüchtig 16gbit Dram 1g x 16 Parallel - - -
MT46V32M16FN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT: F Tr - - -
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT ES: C Tr - - -
RFQ
ECAD 2378 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBB05A3WC1 - - -
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ECAD 9800 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
MT48LC4M16A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75: G Tr - - -
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ECAD 5799 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC4M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel 15ns
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAHC-AIT: E Tr - - -
RFQ
ECAD 1728 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 64m x 16 Parallel - - -
MT29F128G08CBECBL95B3WC2 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBL95B3WC2 - - -
RFQ
ECAD 7394 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
EDFP112A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-JD-FR TR - - -
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ECAD 8127 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1 933 MHz Flüchtig 24gbit Dram 192m x 128 Parallel - - -
MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR - - -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MT29TZZZ5 - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.000
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-37: b - - -
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F512G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,120 267 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
MT28F800B5SG-8 B Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 b - - -
RFQ
ECAD 8844 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) MT28F800B5 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 500 Nicht Flüchtig 8mbit 80 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 80ns
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-ITZ: c - - -
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES: e - - -
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ECAD 8720 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12,4x12,4) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT: B Tr - - -
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ECAD 9457 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT29F8G08ABBCAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4: C Tr - - -
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ECAD 8449 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 1g x 8 Parallel - - -
MTFC32GAMALAM-WT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAMALAM-WT ES - - -
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ECAD 6074 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - MTFC32G Flash - Nand - - - - - - - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.520 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MT40A512M16JY-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E: B Tr - - -
RFQ
ECAD 2498 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,33 GHz Flüchtig 8gbit Dram 512 mx 16 Parallel - - -
MT46V16M8P-6T IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8P-6T ES: D TR - - -
RFQ
ECAD 5189 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V16M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 167 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 16 mx 8 Parallel 15ns
MT62F1536M64D8EK-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 AAT: b 94.8300
RFQ
ECAD 9126 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 441-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT: b 1 3,2 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 GX 64 - - - - - -
M25PX80-VMP6TG0C TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0C TR - - -
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ECAD 8351 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25PX80 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-VFQFPN (6x5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 4.000 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT29F32G08AECCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10: c - - -
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-vbga MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1 100 MHz Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
TE28F256P30T95A Micron Technology Inc. TE28F256P30T95A - - -
RFQ
ECAD 6629 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) 28f256p30 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 56-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 96 40 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 95 ns Blitz 16m x 16 Parallel 95ns
MT46V32M8FG-6 L:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-6 L: g - - -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-fbga MT46V32M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 32m x 8 Parallel 15ns
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AATX: E Tr - - -
RFQ
ECAD 5703 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT29F16G08DAAWP-ET:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08DAAWP-ET: a Tr - - -
RFQ
ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F16G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 2g x 8 Parallel - - -
M36L0R7060L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7060L3ZSF TR - - -
RFQ
ECAD 7608 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet M36L0R7060 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 2.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus