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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M50FW040K5G | - - - |  | 3337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | M50FW040 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 33 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 250 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | - - - | ||
| MT46V64M8P-5B ES: J Tr | - - - | | 7635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
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 | NAND01GW3B2BZA6E | - - - | | 6581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-tfbga | NAND01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -Nand01GW3B2BZA6E | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 210 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 30 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 30ns | ||
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 | MT46V64M8FN-6 ES: f | - - - | | 5917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
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 | MT48LC32M8A2P-75 IT: D Tr | - - - | | 4560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT55L512Y32PT-10 | 18.9400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT55L512Y | SRAM - Asynchron, ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 5 ns | Sram | 512K x 32 | Parallel | - - - | ||
| MT46V16M16TG-75 IT: F Tr | - - - | | 2303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
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| N25Q032A13ESEC0E | - - - | | 5577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | N25Q032A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.800 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 8m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
| RC28F640J3D75D | - - - | | 9581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | RC28F640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 864 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 75 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 75ns | |||
| MT47H64M8CB-5E: b | - - - | | 6191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 600 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR | - - - | | 7340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MT29RZ4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | |||||||||||||||||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT: B Tr | - - - | | 3350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||
 | MT44K16M36RB-093F: B Tr | 62.1450 | | 3609 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K16M36 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 7,5 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | ||
| MT53D768M64D8SQ-046 WT: E Tr | - - - | | 7471 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-VFBGA | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 556-VFBGA (12,4x12,4) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | - - - | - - - | |||
 | MTFC8GLWDM-AIT Z | - - - | | 8683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | ||||||
| MT29F3T08EUHBBM4-3R: b | - - - | | 8994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 3tbit | Blitz | 384g x 8 | Parallel | - - - | |||||
| M29F800FB5AM6F2 TR | - - - | | 9997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F800 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | MT28F004B5VP-8 T | - - - | | 3245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F004B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 40-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 80ns | |||
 | M29W256GH70N6F TR | - - - | | 6097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT48LC16M16A2BG-75: d | - - - | | 9512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT46V128M4FN-5B: D Tr | 21.1800 | | 981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
| MT25QL128ABB1EW7-CAUT | - - - | | 9705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.940 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms |
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