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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC128GAOALEA-WT TR | - - - |  | 4671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 557-MTFC128GAOALEA-WTTR | Veraltet | 2.000 | ||||||||||||||||||||
 | M25PX80-VMP6TG0M TR | - - - | | 5081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25PX80 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VFQFPN (6x5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
 | M29F200BB70N6T TR | - - - | | 4320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F200 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 | - - - | | 6241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F2G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | Veraltet | 1 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | ||||||||
 | PC28F256P33TFA | - - - | | 9473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F256 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | ||
 | MT48V8M16LFB4-10 IT: G TR | - - - | | 5301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48V8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT53D384M64D4SB-046 XT ES: E | - - - | | 3725 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 384m x 64 | - - - | - - - | |||||
 | MT29F256G08CMCGBJ4-37R: g | - - - | | 7501 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT53D4DBNZ-DC TR | - - - | | 3967 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | MT35XU02GCBA1G12-0AUT | 45.1100 | | 405 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU02 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT35XU02GCBA1G12-0AUT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Xccela -bus | - - - | ||
| MT49H16M18BM-25 IT: b | - - - | | 1423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M18 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Parallel | - - - | ||
| M29W200BT70N6E | - - - | | 2281 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W200 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 70ns | |||
| M58LT256KST7ZA6F TR | - - - | | 7429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M58LT256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT53B512M64D8HR-053 WT: B Tr | - - - | | 8896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||
| EDB4432BBBJ-1DAUT-FD | - - - | | 4257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-FBGA (10x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | Parallel | - - - | |||
| MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR | - - - | | 1146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 121-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit (PCM), 512Mbit (MCP) | RAM | 128 MX 8 (PCM), 64 MX 8 (MCP) | Parallel | - - - | ||||
 | MT53D1024M32D4NQ-053 WT: d | - - - | | 6891 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||
 | MT29F1G08ABADAH4-ITE: D Tr | - - - | | 6982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT29F1G08ABBEAH4-IT: e | - - - | | 5443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES: D. | - - - | | 2287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | ||||||||
| MTFC16GAPALNA-AIT ES | - - - | | 8725 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | MTFC16 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 980 | ||||||||||||||||||
 | MT47H64M8CB-25: B Tr | - - - | | 7630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR | - - - | | 2849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | MTFC16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||
 | MT42L128M32D2MH-3 IT: a | - - - | | 8670 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | MT42L128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 134-FBGA (11x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | Parallel | - - - | ||||
 | TE28F160C3TD70A | - - - | | 2526 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | 28f160c3 | Flash - Boot Block | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | PZ28F064M29EWTA | - - - | | 1538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | PZ28F064M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 60 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | |||
| MT29F2G08ABAFAH4-ITS: f Tr | - - - | | 6740 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT48LC4M16A2P-6A AAT: J. | - - - | | 9088 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 12ns | |||
 | MT29F256G08CMEDBJ5-12: D Tr | - - - | | 2243 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| EDFA164A2PK-GD-FR TR | - - - | | 5266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | - - - | EDFA164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | Parallel | - - - |
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