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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25QU256ABA1EW9-0SIT | 6.4700 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-wpdfn (8x6) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MT41J256M8DA-125: k | - - - | | 3654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT48LC8M8A2P-75 L: g | - - - | | 7952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT29C4G96MAZBACKD-5 WT | - - - | | 4646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-TFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||||
 | MT29F512G08CUCABH3-10R: a Tr | - - - | | 5312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT41K512M8RH-125 m: e | - - - | | 4122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (9x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 13.75 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT48LC32M8A2P-75: d | - - - | | 3454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT46V16M16P-5B: F Tr | - - - | | 6970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | NAND128W3A2BN6E | - - - | | 1253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | NAND128 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 50 ns | Blitz | 16 mx 8 | Parallel | 50ns | ||||
 | JS28F128J3F75H | - - - | | 4461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F128J3 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 75 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 75ns | |||||
 | MT48V8M32LFF5-10 TR | - - - | | 3571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - - - | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | |||
 | MT46V32M8BG-75: g | - - - | | 2856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT40A256M16GE-075E AUT: B Tr | - - - | | 8630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT41K512M16VRN-107 AAT: p | 21.0750 | | 7397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT41K512M16VRN-107AAT: p | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F256G08EBHBFJ4-3itf: B Tr | 8.1600 | | 9544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF: BTR | 2.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
| JS28F128P33B85A | - - - | | 2913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F128P33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns | |||
| MT46V32M16TG-75Z: c | - - - | | 2174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | - - - | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | MT29F1G08ABAEAH4-AITX: e | - - - | | 4884 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | |||||||
| M58WR032KB70ZQ6W TR | - - - | | 5853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 88-VFBGA | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 88-VFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT48LC8M16A2P-7E: G Tr | - - - | | 8593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 14ns | |||
| M29F040B90N1 | - - - | | 6682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F040 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 90 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 90ns | ||||
 | MT48H32M16LFCJ-75: a Tr | - - - | | 2499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 6 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
| MT48LC8M16A2P-7E ES: G TR | - - - | | 2092 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 14ns | |||
| MTFC16GAPALNA-AAT ES | - - - | | 7919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | MTFC16 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||||
| MT28F800B3WG-9 T Tr | - - - | | 5517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | ||||
| MT53D1536M32D6BE-053 WT ES: D. | - - - | | 3367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 1,5 GX 32 | - - - | - - - | ||||||
 | MT40A4G8NEA-062E: f | 52,5000 | | 7506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A4G8NEA-062E: f | 1.260 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | 13.75 ns | Dram | 4g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| M29F400BB55M1 | - - - | | 5067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 16 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | N25Q128A13ese40g | - - - | | 3515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Q6985588 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | PC28F512M29EWL0 | - - - | | 1389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | PC28F512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 184 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 100ns |
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