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Integrierte Schaltkreise (ICs)(10403)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | SIC programmierbar | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29F800FB5AM6F2 TR | - |  | 9997 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-SOIC (0,496", 12,60 mm Breite) | M29F800 | BLITZ - NOCH | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht flüchtig | 8Mbit | 55 ns | BLITZ | 1M x 8, 512K x 16 | Parallel | 55ns | ||||
| MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR | - | | 8289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | - | MT29F256G08 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | Parallel | - | ||||
| MT49H16M36FM-25E:B TR | - | | 4951 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | MT49H16M36 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-µBGA (18,5 x 11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | |||
 | MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR | - | | 7274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Letzter Kauf | -40°C ~ 125°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16Gbit | DRAM | 512M x 32 | - | - | ||||
| MT62F512M32D2DS-031 WT:B | 12.2400 | | 5935 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | -25°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031WT:B | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 16Gbit | DRAM | 512M x 32 | Parallel | - | |||||||||
 | MT29F8G08ABBCAH4:C TR | - | | 8449 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F8G08 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 8Gbit | BLITZ | 1G x 8 | Parallel | - | |||||
| MT29F2G08ABAFAH4-IT:F | - | | 9052 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.260 | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | - | ||||||
| MT29E256G08CMCDBJ5-6:D | - | | 8587 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-TBGA | MT29E256G08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 167 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | Parallel | - | |||||
 | MT46V32M16BN-6:F TR | - | | 6532 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | |||
| M36L0R7060L3ZSE | - | | 1349 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | M36L0R7060 | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.304 | ||||||||||||||||||
| MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D | - | | 2693 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | - | - | ||||||
| M50FW040NB5TG TR | - | | 5257 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -20°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,488", 12,40 mm Breite) | M50FW040 | BLITZ - NOCH | 3V ~ 3,6V | 32-TSOP | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 33 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | 250 ns | BLITZ | 512K x 8 | Parallel | - | |||
| MT62F1536M64D8CH-031 WT:A | - | | 9047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Veraltet | -25°C ~ 85°C | - | - | SDRAM – Mobiles LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CH-031WT:A | VERALTET | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 96Gbit | DRAM | 1,5G x 64 | Parallel | - | ||||||||
 | N25Q256A83E1241E | - | | 5801 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | N25Q256A83 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WTA | - | | 2267 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | Sterben | MT29F256G08 | FLASH - NAND (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | Sterben | - | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | Parallel | - | ||||||
 | MTFC32GJWDQ-4M AIT Z | - | | 9289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 100-LBGA | MTFC32G | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 980 | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | ||||||
| MT41K512M16TNA-125:E | - | | 7244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | - | |||
 | MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D | - | | 8088 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-VBGA | MT29F128G08 | FLASH - NAND | Nicht verifiziert | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | Parallel | - | |||||
| MT29F1G01AAADDH4:D TR | - | | 2465 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F1G01 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 1G x 1 | SPI | - | |||||
 | MT28F128J3BS-12 MET | - | | 2279 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-FBGA | MT28F128J3 | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 4 (72 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 120 ns | BLITZ | 16M x 8, 8M x 16 | Parallel | - | ||||
| MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C | 20.9850 | | 1596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR | - | | 1013 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 256-WFBGA | MT52L512 | SDRAM – Mobiles LPDDR3 | 1,2V | 256-FBGA (14x14) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 32Gbit | DRAM | 512M x 64 | - | - | |||||
 | MT48V8M32LFF5-10 TR | - | | 3571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM – Mobiles LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 7 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | 15ns | |||
| M29F002BB70K6E | - | | 6913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-LCC (J-Leitung) | M29F002 | BLITZ - NOCH | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11,35 x 13,89) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Nicht flüchtig | 2Mbit | 70 ns | BLITZ | 256K x 8 | Parallel | 70er Jahre | ||||
 | MT48LC16M16A2B4-7E IT:G | 8.5000 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-VFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.560 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 14ns | |||
| MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR | 16.5000 | | 8697 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Letzter Kauf | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AIT:DTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F4T08GLLCEG7-QB:C TR | 78.1500 | | 6433 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB:CTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABADAH4-ITX:D | - | | 4640 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 2832-MT29F1G08ABADAH4-ITX:D | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | Parallel | - | ||||
| MT29F512G08CECBBJ4-5M:B | - | | 2319 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-VBGA | MT29F512G08 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | VERALTET | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | Parallel | - | ||||
 | MT48LC64M8A2P-7E:C TR | - | | 6706 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | MT48LC64M8A2 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 4 (72 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns |
2000+
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Standardprodukteinheit
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