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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDFA164A2PM-JD-FR TR | - - - |  | 4805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | EDFA164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | Parallel | - - - | ||||
| MT42L256M32D4KP-3 IT: a | - - - | | 1322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT42L256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 168-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | Parallel | - - - | ||||
| MT29F512G08AUEBBK8-12: B Tr | - - - | | 3317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT29F512G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-tlga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT47H64M8CB-3: B Tr | - - - | | 6568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | M29F800ft5AN6E2 | - - - | | 4206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F800 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 55ns | |||
| MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR | - - - | | 1173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | MTFC32GAPALBH-AIT ES TR | - - - | | 7336 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||
 | MT46V32M16P-75 IT: C Tr | - - - | | 9145 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F512G08CUCDBJ6-6itR: D Tr | - - - | | 8934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-lbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT42L256M32D4MG-25 IT: a | - - - | | 3830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | MT42L256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 134-FBGA (11,5x11,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | Parallel | - - - | ||||
| N25Q008A11EF640E | - - - | | 7264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | N25Q008A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||||
 | MT28F640J3RG-115 ET TR | - - - | | 5134 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F640J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 115 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | M29W640GT70ZA6EP | - - - | | 3621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -M29W640GT70ZA6EP | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||
 | MT49H32M18SJ-25E: b | - - - | | 8108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H32M18 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FBGA (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1,120 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
 | M25P16-VMN3TP/4 Tr | - - - | | 6669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté ™ | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT48LC4M32B2F5-7 IT: G TR | - - - | | 3103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 14ns | ||
 | MT41K512M8DA-107 XIT: p | 10.6400 | | 978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||
| MT29F64G08Cbedbl84C3WC1-R | - - - | | 6507 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT29E1T08CMHBBJ4-3ES: B Tr | - - - | | 7135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29E1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT47H32M16CC-3E: b | - - - | | 7952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (12x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT48LC16M16A2Y66AWC1 | - - - | | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 14ns | ||
| MT47H32M16CC-37E L: B Tr | - - - | | 1796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (12x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Flüchtig | 512mbit | 500 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48LC128M4A2TG-7E: c | - - - | | 6555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC128M4A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
 | MT47H64M16HR-3 ES: g | - - - | | 7945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT25QU128ABA1EW7-0SIT | 4.1200 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.940 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AAT: d | 39.1050 | | 4370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||
| M25PE20-VMN6TPBA TR | - - - | | 9521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25PE20 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 15 ms, 3 ms | ||||
| MT49H16M18BM-25 IT: b | - - - | | 1423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M18 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Parallel | - - - | ||
| MT48LC16M16A2TG-7E IT: D Tr | - - - | | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 14ns | ||
 | MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR | - - - | | 3780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 130-VFBGA (8x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Blitz, Ram | 128 MX 8 (NAND), 16 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - |
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