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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT49H32M18CFM-25: b | - - - |  | 9062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H32M18 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
| MT53D2048M32D8QD-062 WT ES: D. | - - - | | 2693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D2048 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 2g x 32 | - - - | - - - | |||||
 | NAND08GW3F2AN6E | - - - | | 9135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | NAND08G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -Nand08gw3f2an6e | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 96 | Nicht Flüchtig | 8gbit | 25 ns | Blitz | 1g x 8 | Parallel | 25ns | ||
 | PC28F256P33T85A | - - - | | 3315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F256 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 85 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 85ns | ||
| MT29F4T08EUHBFM4-T: b | - - - | | 4224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F4T08 | Flash - Nand (TLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F4T08EUHBFM4-T: b | Veraltet | 8542.32.0071 | 1,120 | Nicht Flüchtig | 4tbit | Blitz | 512g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT29F128G8CBECBH6-12: C Tr | - - - | | 2946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29F128G8 | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||
 | MT29F512G08CUEDBJ6-12it: D Tr | - - - | | 9769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-lbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MTFC16GAPALBH-AAT | - - - | | 1589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||
| MT25QL128ABB1EW7-CAUT | - - - | | 9705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.940 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||
| MT42L192M32D3LE-3 IT: a | - - - | | 3943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT42L192M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 168-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 6gbit | Dram | 192m x 32 | Parallel | - - - | ||||
| MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 Tr | 12.7200 | | 2680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT38Q40 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64TR | 0000.00.0000 | 2.000 | ||||||||||||||||
 | N25Q512A83G12H0F | - - - | | 3749 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q512A83 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 128 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||||
 | MT29F256G08CBCBBJ4-37ES: B Tr | - - - | | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT28F800B5SG-8 Wette | - - - | | 1154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 80 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 80ns | |||
 | MT48LC32M8A2BB-6A: G Tr | - - - | | 9256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | 12ns | ||
 | MT53B512M32D2DS-062 AIT: c | - - - | | 3432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
 | MT48LC8M8A2TG-7E L: g | - - - | | 2580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 8 | Parallel | 14ns | ||
 | JS28F640P33TF70A | - - - | | 8713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F640P33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||
 | MT46H32M16LFCK-6 IT Tr | - - - | | 7177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| M29DW323DB7AN6F TR | - - - | | 5816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29DW323 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| JS28F320J3F75B TR | - - - | | 4891 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F320J3 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 75 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 75ns | |||
| MTFC8GAMALGT-AAT TR | 11.1750 | | 5154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC8 | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC8GAMALgt-AATTR | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | |||||||
| MT49H32M18FM-25: B Tr | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H32M18 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
| MT62F768M64D4BG-031 WT: a | - - - | | 2478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | - - - | - - - | 557-MT62F768M64D4BG-031WT: a | Veraltet | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | Parallel | - - - | |||||||
| M28W160FSB70ZA6E | - - - | | 1407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | M28W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 136 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U TR | 13.9200 | | 7371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT29AZ5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | ||||||||||||||||||
 | M45PE20-VMP6G | - - - | | 7828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M45PE20 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 15 ms, 3 ms | |||
| MT28FW512ABA1LPC-0AAT | - - - | | 8298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28FW512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 105 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 60ns | |||||
 | MT46H32M16LFBF-6 IT: B Tr | - - - | | 8483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT47H256M8EB-187E: c | - - - | | 7573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (9x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 350 ps | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns |
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