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Integrierte Schaltkreise (ICs)(10403)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | SIC programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41J128M16JT-093 J:K | - |  | 8668 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (8x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 100 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | - | ||||
 | MT45W4MW16BCGB-701 WT | - | | 3704 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | PSRAM | 4M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||||
 | MT62F1G64D4EK-023 AAT:C | 63.8550 | | 4547 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Kasten | Aktiv | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT40A1G8Z01AWC1 | - | | 4873 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | - | Oberflächenmontage | Sterben | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | Wafer | - | VERALTET | 1 | Flüchtig | 8Gbit | DRAM | 1G x 8 | Parallel | - | |||||||||
| N25Q128A13ESED0F TR | - | | 1001 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | N25Q128A13 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP2 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||||
| MT29VZZZCD9FQKPR-046 W.G9L | - | | 2166 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | MT29VZZZCD9 | - | ROHS3-konform | 557-MT29VZZZCD9FQKPR-046W.G9L | VERALTET | 152 | |||||||||||||||||||
 | M25P32-VMW3GB TR | - | | 6323 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | M25P32 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.500 | 75 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||||
 | MT29F2G08ABBFAH4:F TR | - | | 9820 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | - | ||||||
 | M29W640GB70ZA6EP | - | | 6312 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | M29W640 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | -M29W640GB70ZA6EP | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | Nicht flüchtig | 64Mbit | 70 ns | BLITZ | 8M x 8, 4M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR | 5.4563 | | 5965 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512M x 8 | Parallel | - | |||||
 | MT40A4G4DVN-068H:E TR | - | | 2043 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 557-MT40A4G4DVN-068H:ETR | VERALTET | 2.000 | 1.467 GHz | Flüchtig | 16Gbit | 27 ns | DRAM | 4G x 4 | Parallel | - | ||||
| MT29F1G01ABBFDM78A3WC1 | - | | 6569 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | Sterben | MT29F1G01 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | Sterben | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 1G x 1 | SPI | - | ||||||
| MTFC8GACAAAM-1M WT | - | | 6189 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | MTFC8 | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
| N25Q064A13EW7D0F TR | - | | 9459 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | N25Q064A13 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 4.000 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||||
| MT29F4G08ABAEAH4-S:E | - | | 7765 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512M x 8 | Parallel | - | |||||
 | MT29F512G08AUEBBH8-12:B | - | | 5260 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 152-LBGA | MT29F512G08 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-LBGA (14x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | Parallel | - | ||||
| M25P80-VMN3TP/4 TR | - | | 7289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Schnittband (CT) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | M25P80 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | BLITZ | 1M x 8 | SPI | 15ms, 5ms | ||||
 | MT28F640J3RG-115 MIT TR | - | | 2213 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | MT28F640J3 | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 2 (1 Jahr) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 64Mbit | 115 ns | BLITZ | 8M x 8, 4M x 16 | Parallel | - | ||||
| JS28F256P30T95A | - | | 3272 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | JS28F256P30 | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 2 V | 56-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | 95 ns | BLITZ | 16M x 16 | Parallel | 95ns | |||
 | MT54W2MH8BF-5 | 33.0600 | | 86 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | SRAM – Synchron | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 450 PS | SRAM | 2M x 8 | HSTL | - | ||||
 | MT46H32M32LFB5-6 IT:B | - | | 9803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | DRAM | 32M x 32 | Parallel | 15ns | |||
| MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT | - | | 3767 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | MT25QL01 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MT46V64M8BN-5B:D | - | | 9220 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - | ROHS3-konform | 5 (48 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | |||
| M36L0R7050B4ZAQE | - | | 8877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tablett | Veraltet | M36L0R7050 | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | ||||||||||||||||||
| MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR | - | | 6407 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 256-WFBGA | MT52L512 | SDRAM – Mobiles LPDDR3 | 1,2V | 256-FBGA (14x14) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 32Gbit | DRAM | 512M x 64 | - | - | ||||
 | RC28F640J3D75A | - | | 2436 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-TBGA | RC28F640 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | Nicht flüchtig | 64Mbit | 75 ns | BLITZ | 8M x 8, 4M x 16 | Parallel | 75ns | ||||
 | MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR | - | | 8240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-VBGA | MT29F768G08 | FLASH - NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht flüchtig | 768 Gbit | BLITZ | 96G x 8 | Parallel | - | ||||
| MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B TR | 8.1600 | | 9544 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH - NAND (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:BTR | 2.000 | 333 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | Parallel | - | Nicht verifiziert | |||||
| M29W256GH7AZS6F TR | - | | 1417 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-LBGA | M29W256 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | Nicht flüchtig | 256 Mbit | 70 ns | BLITZ | 32M x 8, 16M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||||
| N25Q032A11ESE40F TR | - | | 1015 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | N25Q032A11 | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 2 V | 8-SO | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 8M x 4 | SPI | 8ms, 5ms |
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