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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC16M8A2P-75: GTR | - - - |  | 5953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT53B256M64D2TG-062 XT: c | - - - | | 9197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 960 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | |||
 | MT29F8G08ADADAH4-IT: D Tr | 9.4500 | | 9993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 1g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT25QU02GCBB8E12-0AAT | 41.3700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU02 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT46H8M16LFCF-10 | - - - | | 6359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H8M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-VFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 104 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT46V32M8FG-6: G Tr | - - - | | 2651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| MT29F8G01ADBFD12-AATES: f | - - - | | 7195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | MT29F8G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 8g x 1 | Spi | - - - | |||||
| MT29F4G08ABCHC: C Tr | - - - | | 6394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT29F64G08AECDBJ4-6itR: d | - - - | | 7603 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | PC28F160C3BD70A | - - - | | 2257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F160 | Flash - Boot Block | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 144 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT40A4G4DVN-075H: E Tr | - - - | | 9664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT40A4G4DVN-075H: ETR | Veraltet | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Parallel | - - - | |||
 | MT53D512M16D1DS-046 AAT: d | 13.1500 | | 101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53D512M16D1DS-046AAT: d | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | - - - | - - - | ||
| MT29F2G08ABBEAH4-IT: E Tr | 4.2400 | | 38 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT48V4M32LFB5-8 XT: g | - - - | | 5109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -20 ° C ~ 75 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48V4M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D. | - - - | | 2070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||||
 | JS28F320J3F75E | - - - | | 5830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F320J3 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 75 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 75ns | |||
 | MT53B512M32D2NP-062 AIT: C Tr | - - - | | 9645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
| MT29F2T08GELCEJ4-QB: c | 39.0600 | | 1867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-mt29f2t08gelcej4-QB: c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT: H Tr | 8.4000 | | 5838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT: HTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT28F800B5SG-8 B Tr | - - - | | 6444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 80 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 80ns | |||
| MT29F768G08EECBBJ4-37: b | - - - | | 7655 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F768G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | Nicht Flüchtig | 768Gbit | Blitz | 96G x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K | 47.1600 | | 8378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-mt29vzzzad8fqfsl-046wj.g8k | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT25TU01GHBB8E12-0SIT TR | - - - | | 8632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | |||||||||||||||||
 | MT46V128M8TG-6T: a Tr | - - - | | 8208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V128M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 700 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT47H128M16PK-25E ES: c | - - - | | 1288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (9x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||
 | MT45W1MW16BAFB-856 WT TR | - - - | | 3771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 16mbit | 85 ns | Psram | 1m x 16 | Parallel | 85ns | |||
| JS28F256M29EWLD | - - - | | 3049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 110 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 110ns | ||||
| MT25QL512ABA8E12-0SIT TR | - - - | | 3436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MT29F64G08AJABAWP: b | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT28F008B3VG-9 TET TR | - - - | | 2922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F008B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 40-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8 | Parallel | 90ns |
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