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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29W400BT70N6 | - - - | ![]() | 6371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W400 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-1716 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 70ns | ||
![]() | MT46V64M8BN-75 IT: d | - - - | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D TR | - - - | ![]() | 5833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||||
![]() | MT58L512L18PT-7.5 | 6.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 5 | 133 MHz | Flüchtig | 8mbit | 4 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 WT ES: B Tr | 45.6900 | ![]() | 1639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT62F1G64D4EK-023WTES: BTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | M25P64-VMF3TPB TR | - - - | ![]() | 4559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT48LC4M16A2TG-7E ES: g | - - - | ![]() | 8819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 14ns | ||
MT35XU02GCBA1G12-0AUT | 45.1100 | ![]() | 405 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU02 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT35XU02GCBA1G12-0AUT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Xccela -bus | - - - | |||
![]() | MT47H128M8BT-5E L: a | - - - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 92-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 92-FBGA (11x19) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 600 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | N25Q128A11esecfe | - - - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-Sop2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.800 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT48LC2M32B2P-5: J. | - - - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 4,5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
MT46H32M32LFB5-5 AAT: B Tr | - - - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 32m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT46H64M32LFCX-5 AIT: B Tr | - - - | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT29E256G08CMCABJ2-10Z: a Tr | - - - | ![]() | 7028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29E256G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | EDW4032CABG-50-NFD | - - - | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - - - | - - - | EDW4032 | SGRAM - GDDR5 | 1,31v ~ 1,39 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.440 | 1,25 GHz | Flüchtig | 4Gbit | RAM | 128 mx 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT53D384M64D4FL-046 XT: E. | - - - | ![]() | 7206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,120 | 2.133 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 384m x 64 | - - - | - - - | |||||||||
![]() | MT53B256M32D1PX-062 XT ES: C Tr | - - - | ![]() | 1390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | - - - | - - - | ||||
![]() | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES: B Tr | - - - | ![]() | 3597 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (11x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
![]() | MT29F2G08ABBFAH4: f Tr | - - - | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT48LC8M32B2TG-7 IT Tr | - - - | ![]() | 9249 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 14ns | ||
![]() | MT29F128G08CECABH1-10Z: a Tr | - - - | ![]() | 6156 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-vbga | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT29F1T08EMHAFJ4-3R: a Tr | - - - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D. | - - - | ![]() | 2070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||||
![]() | MT49H32M18CBM-18: B Tr | - - - | ![]() | 3504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H32M18 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT48LC2M32B2TG-7: G Tr | - - - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | 14ns | ||
![]() | M25P32-VMF6P | - - - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,225 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT41K512M8DA-93: p tr | - - - | ![]() | 3385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT28F128J3RG-12 MET | - - - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F128J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 120 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT29F64G08AECDBJ4-6it: D Tr | - - - | ![]() | 9363 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT41K256M8DA-107 ES: K. | - - - | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K256M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | - - - |
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