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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 TR Micron Technology Inc. MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 Tr 21.4200
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT38Q50 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74TR 0000.00.0000 2.000
MTFC16GJVEC-WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-WT - - -
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MTFC16G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MT58L512V18PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512V18PT-6 8.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Standard 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 166 MHz Flüchtig 8mbit 3,5 ns Sram 512k x 18 Parallel - - -
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 TR - - -
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C. Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 2.000 2.133 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT46V256M4TG-6T:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-6T: a - - -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V256M4 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 167 MHz Flüchtig 1Gbit 700 ps Dram 256 mx 4 Parallel 15ns
MT58V512V36DF-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36DF-7,5 18.7900
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Standard 2.375 V ~ 2,625 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 18mbit 4.2 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218 Micron Technology Inc. MT29VZZZZ7D8GUFSL-046 W.218 14.6316
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv - - - 557-mt29vzzzz7d8gufsl-046W.218 1.520
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAH4-AATES: F Tr - - -
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 ECAD 6538 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-JD-FR TR - - -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung - - - EDF8132 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. 216-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 933 MHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 Parallel - - -
MT46V32M16TG-5B:F Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B: f - - -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHAFM4-3T: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29F4T08 Flash - Nand 2,5 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Nicht Flüchtig 4tbit Blitz 512g x 8 Parallel - - -
MT46V32M8TG-75Z:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75Z: G Tr - - -
RFQ
 ECAD 8850 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 750 ps Dram 32m x 8 Parallel 15ns
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR - - -
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28EW01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.600 Nicht Flüchtig 1Gbit 105 ns Blitz 128 mx 8, 64 mx 16 Parallel 60ns
MT29F1G08ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4: e - - -
RFQ
 ECAD 8265 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Parallel - - -
MT53D768M64D4SQ-053 WT:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT: a - - -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - Veraltet 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 - - - - - -
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAL83A3WC1 - - -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
MT29F4G08BBBWP TR Micron Technology Inc. MT29F4G08BBBWW TR - - -
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AAT: F Tr 16.3600
RFQ
 ECAD 478 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit 19 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
MT29F64G08AECABH1-10IT:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10IT: a - - -
RFQ
 ECAD 6855 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-vbga MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT46V128M4FN-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V128M4 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) - - - Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 128 mx 4 Parallel 15ns
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CCCCBH7-6R: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-Tbga MT29F512G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 152-TBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 166 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2,5 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT48H16M32L2F5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 IT - - -
RFQ
 ECAD 6181 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 125 MHz Flüchtig 512mbit 7,5 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad MT25QL256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-wpdfn (8x6) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT53D8DAWF-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DAWF-DC Tr - - -
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 ECAD 8420 0.00000000 Micron Technology Inc. * Band & Rollen (TR) Aktiv MT53D8 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1.000
N25Q128A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1241E - - -
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga N25Q128A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
M29W640GB70ZF3F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70ZF3F TR - - -
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-TBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
MTFC4GGQDQ-IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GHGQDQ-IT TR - - -
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AIT: d 9.3750
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: d 1 2.133 GHz Flüchtig 8gbit 3,5 ns Dram 512 mx 16 Parallel 18ns
MT29F4G08ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCHC: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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