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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H32M8BP-37E: B Tr | - - - |  | 3095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H32M8B | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Flüchtig | 256mbit | 500 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT28F008B5VG-8 TET TR | - - - | | 5969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F008B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 40-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 80 ns | Blitz | 1m x 8 | Parallel | 80ns | |||
 | M29F160FB5AN6F2 TR | - - - | | 5917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F160 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | MT28F800B3SG-9 TET | - - - | | 6772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
 | MT53E256M32D2DS-046 AIT: B Tr | 14.0850 | | 4491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53E256M32D2DS-046AIT: BTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | - - - | - - - | ||
 | MT48LC4M32B2B5-6a It: l | - - - | | 6423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.440 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 12ns | ||
 | MT53E512M64D2NW-046 IT: b | - - - | | 8123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | 432-vfbga | MT53E512 | 432-VFBGA (15x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E512M64D2NW-046it: b | 1.360 | ||||||||||||||
 | MT29F64G08CBAAAWP: a tr | - - - | | 2746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| EDW2032BBBG-7A-FD | - - - | | 5877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 170-tfbga | EDW2032 | SGRAM - GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V. | 170-FBGA (12x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 1,75 GHz | Flüchtig | 2Gbit | RAM | 64m x 32 | Parallel | - - - | ||||
 | MT49H8M36BM-33 TR | - - - | | 4854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H8M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 300 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 8m x 36 | Parallel | - - - | ||
 | M29F800ft55M3E2 | - - - | | 8498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F800 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-1581 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 55ns | ||
| M29F200BB70N6 | - - - | | 4810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F200 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT46V32M16P-5B ES: F TR | - - - | | 7738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT28F008B3VP-9 b | - - - | | 4010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F008B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 40-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8 | Parallel | 90ns | |||
| MT46V32M4P-6T: D Tr | - - - | | 2358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 32m x 4 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F64G08CECCBH1-12: c | - - - | | 1330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT29VZZZZZAD8HQKPR-053 W.G8C | - - - | | 2014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | MT29Vzzzad8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||
| MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U | - - - | | 7522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| MT40A512M16LY-062E AIT: E Tr | 9.2250 | | 3525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (7,5x13,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT40A512M16LY-062AIT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |
 | MT40A1G8WE-075E AIT: b | - - - | | 4774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (8x12) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 1g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT46V8M16TG-75: d | - - - | | 4509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V8M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 750 ps | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | M25P80-VMN3TP/4 Tr | - - - | | 7289 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P80 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT47H32M16CC-3E: b | - - - | | 7952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (12x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29E768G08EehBBJ4-3: B Tr | - - - | | 6002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29E768G08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 768Gbit | Blitz | 96G x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT53D384M32D2DS-053 AAT ES: C. | - - - | | 1934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | ||||
| MT53B384M16D1Z0APWC1 | - - - | | 4477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Flüchtig | 6gbit | Dram | 384 MX 16 | - - - | - - - | ||||
| MT41K256M16V00HWC1-N001 | - - - | | 4710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | |||||||||
| MT53B128M32D1NP-062 Gew. | - - - | | 2434 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | - - - | - - - | |||
 | MT58L128L18PT-7.5 | 5.7900 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4 ns | Sram | 128k x 18 | Parallel | - - - | |||
 | MT29F2G08ABBEAHC: E Tr | - - - | | 9816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - |
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