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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JS28F640P30T85A | - - - |  | 2719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F640P30 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 85 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 85ns | ||
 | MT29F64G08AAAAAC5-ITZ: a | - - - | | 2665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-vlga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 52-vlga (18x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT25QU256ABA8E12-1SIT TR | 6.7800 | | 8 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
| JS48F4400P0TB00A | - - - | | 3884 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS48F4400P | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 85 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 85ns | ||
 | MT29F64G08CECDBJ4-10: d | - - - | | 5267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | - - - | | 9803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 512 MX 8 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | MT53B768M64D8NK-053 WT: d | - - - | | 3498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 366-WFBGA | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | - - - | - - - | |||
 | MT48LC8M16A2TG-75: g | - - - | | 2535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MTFC16GJVEC-2M WT TR | - - - | | 1827 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 169-VFBGA | MTFC16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 169-VFBGA | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||
 | MT25QU01GBBBBB8E12-0AUT TR | 19.8600 | | 3584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29F1HT08ELHBBG1-3R: b | - - - | | 3576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 272-VFBGA | MT29F1HT08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 272-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 980 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 1,5 Tbit | Blitz | 192g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT25QL128ABA8ESF-0SIT | 4.4800 | | 835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25QL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT29F256G08CMCABH2-12ITZ: a | - - - | | 6198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (12x18) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||||
| MT42L64M64D2LL-18 WT: c | - - - | | 8533 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - | ||||
 | PC28F512M29AWHB TR | - - - | | 2994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | PC28F512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 100ns | ||||
 | MT46V32M16FN-6 IT: F Tr | - - - | | 1337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR | - - - | | 9786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B192 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | Flüchtig | 6gbit | Dram | 192m x 32 | - - - | - - - | ||||
 | MT28F800B3WG-9 b | - - - | | 2295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
 | MT28F008B3VP-9 B Tr | - - - | | 2200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F008B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 40-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8 | Parallel | 90ns | |||
| MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT | - - - | | 9913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29C8G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 8gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 512 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
| M29W320EB70N6F TR | - - - | | 3815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT52L256M64D2GN-107 WT ES: B Tr | - - - | | 4824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 256-WFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 256-FBGA (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | ||||
| MT53D1536M64D8EG-046 Gew. | 55.8750 | | 7921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: ATR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V8M16P-6T L: D Tr | - - - | | 8522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V8M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F4G16ABAEAWP: E Tr | - - - | | 6172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C | - - - | | 1429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 162-VFBGA | MT29RZ4B4 | Flash - Nand, Dram - LPDDR2 | 1,8 v | 162-VFBGA (10,5x8) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Blitz, Ram | 128 mx 32 (NAND), 128 MX 32 (LPDDR2) | Parallel | - - - | |||||
| MT46H128M16LFB7-6 WT: b | - - - | | 1369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (10x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||
 | MT46H32M32LFB5-6 IT: b | - - - | | 9803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 32m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR | - - - | | 2476 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-VFBGA (13x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||
| MT28F400B5WG-8 BET TR | - - - | | 2821 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F400B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns |
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