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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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![]() | M58LT128KSB8ZA6E | - - - | ![]() | 8359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M58LT128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns | |||
![]() | MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR | 4.2442 | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-so | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 1,8 ms | ||
![]() | MT53E4DADT-DC | 22.5000 | ![]() | 1540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MT53E4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4DADT-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 Tr | - - - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MT29VZZZ7 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
MT40A512M16TD-062E AIT: R TR | - - - | ![]() | 4133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | 96-FBGA (7,5x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A512M16TD-062EAIT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53B768M32D4DT-062 AIT: B Tr | - - - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 768 mx 32 | - - - | - - - | |||
![]() | MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f | 2.9984 | ![]() | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f | 8542.32.0071 | 210 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 25 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 25ns | |||
![]() | MT29F256G08CECABH6-10: a | - - - | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT29F256G08CECABH6-10: a | Veraltet | 1.000 | ||||||||||||||||||
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT | - - - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 130-vfbga | MT29C1G56 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 130-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 1GBIT (NAND), 256MBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 64 m x 16 (NAND), 16 MX 16 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT58L256L32PS-7,5 | 8.9300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L256L32 | SRAM - Synchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT58L128L36F1T-8,5C | 5.2200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4mbit | 8.5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 WT: C Tr | 90.4650 | ![]() | 4584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT: Ctr | 2.000 | 4,266 GHz | Flüchtig | 128Gbit | Dram | 2g x 64 | Parallel | - - - | ||||||||
![]() | JS28F320J3F75A | - - - | ![]() | 8112 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F320J3 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 75 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 75ns | |||
![]() | MT29AZ5A5CHGSQ-18it.87U TR | 12.3900 | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT29AZ5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1.000 | ||||||||||||||||||
MT41K64M16TW-107 AUT: J. | 4.9009 | ![]() | 2414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K64M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | |||
MT48LC8M16A2F4-75: G Tr | - - - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT29F2T08EELCHD4-QC: c | 41.9550 | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QC: c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | M36L0R7050T4ZSPE | - - - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | M36L0R7050 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,560 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F8T08EWLKEM5-ITF: K Tr | 257.4000 | ![]() | 4452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF: KTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR | - - - | ![]() | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28EW512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 95 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
![]() | MT55V512V36PT-10 | 17.3600 | ![]() | 285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT55V512V | SRAM - Asynchron, ZBT | 2.375 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
MT29F16G08ABABAWP: B Tr | - - - | ![]() | 4285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | M29W800DT70N1 | - - - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT29F1T208EGHBBG1-3RES: B Tr | - - - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 272-VFBGA | MT29F1T208 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 272-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 1.125tbit | Blitz | 144g x 8 | Parallel | - - - | |||
MT40A2G8NEA-062E: R Tr | 21.7650 | ![]() | 4628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A2G8NEA-062E: RTR | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 13.75 ns | Dram | 2g x 8 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | MT44K32M18RB-107: a Tr | - - - | ![]() | 9681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K32M18 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 576mbit | 10 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR | - - - | ![]() | 4252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-VFBGA (13x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 208 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 512 MX 8 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||
![]() | MT62F1G64D4EK-026 WT: c | 68.0400 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT: c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR | - - - | ![]() | 6070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MT29C1G12M | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||
![]() | MT53B256M16D1Z00MWC1S | 10.4800 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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