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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT35XU256ABA1G12-0AUT | 10.5900 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Xccela -bus | - - - | ||
 | MT53D1024M64D8NW-053 WT: D Tr | - - - | | 9530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 1g x 64 | - - - | - - - | ||
 | TE28F256P33B95A | - - - | | 7957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | 28f256p33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | |
 | MT29F64G08AJABAWP: b | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT42L256M64D4LM-18 WT: a Tr | - - - | | 3717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-VFBGA | MT42L256M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 216-FBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | Parallel | - - - | ||
| M29F400ft55N3F2 TR | - - - | | 5985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 55ns | ||
 | MT29F1G08ABADAWP-E: d | - - - | | 6635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT47H128M16RT-25E: C Tr | 15.9000 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (9x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |
| MT53B256M64D2NV MS | - - - | | 9930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,540 | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | ||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR | - - - | | 8042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29RZ4C8 | Flash - Nand, Dram - LPDDR2 | 1,8 v | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDDR2) | Parallel | - - - | |||
 | MT29F2G08ABAFAH4-IT: f | - - - | | 9052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT48LC16M16A2P-6A AIT: g | - - - | | 7293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.080 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns | |
 | MT41J256M8DA-093: k tr | - - - | | 9579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |
| PC28F128G18AE | - - - | | 9084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 96 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 96ns | ||
 | MT48H16M32LFCM-6: B Tr | - - - | | 8269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | |
 | MTFC16GJDEC-4M IT Tr | - - - | | 8433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 169-WFBGA | MTFC16G | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V. | 169-WFBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||
 | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: a | - - - | | 1553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MTFC4GMCAM-1M WT | - - - | | 1258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | |||||||
 | MT46V32M16P-5B: F Tr | - - - | | 1051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |
| M29F160FB5AN6F2 TR | - - - | | 5917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F160 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 55ns | ||
 | PC28F512P30TFA | - - - | | 2357 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 100ns | |
 | MT47H64M8CB-25: B Tr | - - - | | 7630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |
 | MT48H16M32L2F5-8 TR | - - - | | 3252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 512mbit | 7,5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |
| MT53B1536M32D8QD-053 WT: D TR | - - - | | 1649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 6gbit | Dram | 1,5 GX 32 | - - - | - - - | ||
| MT53D512M64D4RQ-046 WT: e | - - - | | 9233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 556-WFBGA (12,4x12,4) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | ||
 | M29W128GSH70ZA6E | - - - | | 7518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 816 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | ||
| MT53D8DBPM-DC | - - - | | 7045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Kasten | Aktiv | MT53D8 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,190 | ||||||||||||||||||
 | EDB4064B4PB-1D-FD | - - - | | 5743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | EDB4064 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-WFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - | ||
 | MT48V8M16LFB4-10 IT: G TR | - - - | | 5301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48V8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | |
| MT28FW512ABA1LPC-0AAT | - - - | | 8298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28FW512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 105 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 60ns |
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