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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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MT48H16M32L2F5-8 TR | - - - | ![]() | 3252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 512mbit | 7,5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||
M29F160FB5AN6F2 TR | - - - | ![]() | 5917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F160 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AUT: c | 73.4400 | ![]() | 5114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT41K256M16HA-125 V: e | - - - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT49H32M9SJ-25: B Tr | - - - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H32M9 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FBGA (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 32m x 9 | Parallel | - - - | ||
MT25QL01GBBBBB8E12-0AAT | 21.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
MT47H128M16RT-25E: C Tr | 15.9000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (9x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | PC28F512P30TFA | - - - | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 100ns | ||
![]() | MT48LC16M16A2B4-6A AIT: g | - - - | ![]() | 4103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns | ||
![]() | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR | - - - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29RZ4C8 | Flash - Nand, Dram - LPDDR2 | 1,8 v | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDDR2) | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT29F2G08ABAFAH4-IT: f | - - - | ![]() | 9052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT4A1G16KNR-75: E Tr | - - - | ![]() | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT4A1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 2.000 | |||||||||||||||||
![]() | JS28F512M29EWHA | - - - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F512M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 110 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 110ns | |||
MT29F1G08ABADAWP-E: d | - - - | ![]() | 6635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | M29W640GSL70ZF6F TR | - - - | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | RC28F00AM29EWHA | - - - | ![]() | 8077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | RC28F00 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 100 ns | Blitz | 128 mx 8, 64 mx 16 | Parallel | 100ns | |||
![]() | MT53D8DBPM-DC | - - - | ![]() | 7045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Kasten | Aktiv | MT53D8 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | EDB4064B4PB-1D-FD | - - - | ![]() | 5743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | EDB4064 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-WFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT46V32M16P-75 L: C Tr | - - - | ![]() | 8343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT47H64M8CB-25: B Tr | - - - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT29F16G16ADACAH4-IT: C Tr | - - - | ![]() | 9162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 1g x 16 | Parallel | - - - | ||||
MT46V16M16CY-5B XIT: M TR | - - - | ![]() | 7069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT44K32M18RB-125E: a | - - - | ![]() | 6252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K32M18 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,190 | 800 MHz | Flüchtig | 576mbit | 10 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | M29W128GH70ZS6E | - - - | ![]() | 7151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT53B256M64D2NV MS | - - - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,540 | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | |||||
![]() | M29F160ft55N3F2 TR | - - - | ![]() | 4492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F160 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 55ns | |||
MT35XU256ABA1G12-0AUT | 10.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Xccela -bus | - - - | ||||
![]() | MT29F8G16ADBDAH4-IT: d | - - - | ![]() | 2131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F8G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 512 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT53B128M32D1NP-062 AIT: a | - - - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | - - - | - - - | |||
![]() | MT29F1G16ABBEAH4-IT: e | - - - | ![]() | 7607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - |
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