SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT48H16M32L2F5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 TR - - -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 125 MHz Flüchtig 512mbit 7,5 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
M29F160FB5AN6F2 TR Micron Technology Inc. M29F160FB5AN6F2 TR - - -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29F160 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 16mbit 55 ns Blitz 2m x 8, 1m x 16 Parallel 55ns
MT62F2G32D4DS-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AUT: c 73.4400
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: c 1
MT41K256M16HA-125 V:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 V: e - - -
RFQ
ECAD 4947 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.020 800 MHz Flüchtig 4Gbit 13.75 ns Dram 256 mx 16 Parallel - - -
MT49H32M9SJ-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9SJ-25: B Tr - - -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 144-tfbga MT49H32M9 Dram 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FBGA (18,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 32m x 9 Parallel - - -
MT25QL01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT47H128M16RT-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E: C Tr 15.9000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
PC28F512P30TFA Micron Technology Inc. PC28F512P30TFA - - -
RFQ
ECAD 2357 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F512 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 32m x 16 Parallel 100ns
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A AIT: g - - -
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1,560 167 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel 12ns
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR - - -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - MT29RZ4C8 Flash - Nand, Dram - LPDDR2 1,8 v - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 533 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) Blitz, Ram 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDDR2) Parallel - - -
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAFAH4-IT: f - - -
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.260 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT4A1G16KNR-75:E TR Micron Technology Inc. MT4A1G16KNR-75: E Tr - - -
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT4A1 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 2.000
JS28F512M29EWHA Micron Technology Inc. JS28F512M29EWHA - - -
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F512M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 512mbit 110 ns Blitz 64m x 8, 32m x 16 Parallel 110ns
MT29F1G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-E: d - - -
RFQ
ECAD 6635 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F1G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Parallel - - -
M29W640GSL70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6F TR - - -
RFQ
ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-TBGA (10x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
RC28F00AM29EWHA Micron Technology Inc. RC28F00AM29EWHA - - -
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga RC28F00 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,104 Nicht Flüchtig 1Gbit 100 ns Blitz 128 mx 8, 64 mx 16 Parallel 100ns
MT53D8DBPM-DC Micron Technology Inc. MT53D8DBPM-DC - - -
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 Micron Technology Inc. * Kasten Aktiv MT53D8 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1,190
EDB4064B4PB-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1D-FD - - -
RFQ
ECAD 5743 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA EDB4064 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 216-WFBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.680 533 MHz Flüchtig 4Gbit Dram 64m x 64 Parallel - - -
MT46V32M16P-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-75 L: C Tr - - -
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT47H64M8CB-25:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25: B Tr - - -
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-fbga MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-fbga Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT29F16G16ADACAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4-IT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 9162 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F16G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 1g x 16 Parallel - - -
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT: M TR - - -
RFQ
ECAD 7069 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
MT44K32M18RB-125E:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E: a - - -
RFQ
ECAD 6252 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K32M18 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1,190 800 MHz Flüchtig 576mbit 10 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
M29W128GH70ZS6E Micron Technology Inc. M29W128GH70ZS6E - - -
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga M29W128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 70ns
MT53B256M64D2NV MS Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV MS - - -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1,540 Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
M29F160FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F160ft55N3F2 TR - - -
RFQ
ECAD 4492 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29F160 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 16mbit 55 ns Blitz 2m x 8, 1m x 16 Parallel 55ns
MT35XU256ABA1G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU256ABA1G12-0AUT 10.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XU256 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 200 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Xccela -bus - - -
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-IT: d - - -
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 512 mx 16 Parallel - - -
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AIT: a - - -
RFQ
ECAD 5149 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.360 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 - - - - - -
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-IT: e - - -
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 64m x 16 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager