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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28GU512AAA2EGC-0AAT | - - - |  | 5737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | MT28GU512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 96 ns | Blitz | 64m x 8 | Parallel | - - - | ||
 | MT29F64G08CBCGBJ4-5M: G Tr | - - - | | 1893 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT53D1G64D8NZ-046 WT: e | 98.1150 | | 1247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 376-WFBGA | MT53D1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 1g x 64 | - - - | - - - | |||
 | MT53E768M32D4DT-046 WT: E Tr | 21.4881 | | 3216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT53E768M32D4DT-046WT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 768 mx 32 | - - - | - - - | |||
 | MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR | 16.5900 | | 4461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28FW01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 105 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 60ns | |||
 | MT48V8M32LFB5-10 IT | - - - | | 6315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | NAND04GW3B2DN6E | - - - | | 8672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | NAND04G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -Nand04gw3b2dn6e | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | 25 ns | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | 25ns | ||
 | MT29F1G16ABBEAHC-AIT: E Tr | - - - | | 1728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR | - - - | | 4554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MT48LC8M16LFB4-10: g | - - - | | 7023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | RD28F1604C3BD70A | - - - | | 5104 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-LFBGA, CSPBGA | RD28F1604 | Flash, Sram | 2,7 V ~ 3,3 V. | 66-SCSP (12x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.800 | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 16Mbit (Flash), 4Mbit (RAM) | 70 ns | Blitz, Ram | - - - | Parallel | 70ns | |||
| MT46H128M16LFCK-5 IT: a | - - - | | 9742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT46H4M32LFB5-5: k | - - - | | 2464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H4M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT29F64G08Cbedbj4-12m: D Tr | - - - | | 7457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT46H16M32LFB5-5 IT: C Tr | 6.1500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT40A2G4TRF-083E: a | - - - | | 7516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9,5x11,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 2g x 4 | Parallel | - - - | ||||
 | MT29F1T08CUECBH8-12: C Tr | - - - | | 6167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-lbga | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | M29W128GL70N6E | - - - | | 5774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT48H8M32LFB5-75 AT: h | - - - | | 6325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT42L64M64D2LL-18 WT: c | - - - | | 8533 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - | ||||
 | MT48LC8M8A2P-7E: g | - - - | | 2426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 8 | Parallel | 14ns | ||
| M29F200BB70N6T TR | - - - | | 4320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F200 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT28F800B5SG-8 Wette | - - - | | 1154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 80 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 80ns | |||
| EDFP112A3PF-JD-FD | - - - | | 3309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 192m x 128 | Parallel | - - - | ||||
 | PC28F128P33B85A | - - - | | 6813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F128 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns | ||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT: B Tr | - - - | | 5848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (11x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | - - - | - - - | ||||
| M58LR256KB70ZC5F TR | - - - | | 5076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 79-VFBGA | M58LR256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 79-VFBGA (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 70ns | ||
 | MT46V256M4TG-6T: a Tr | - - - | | 9169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V256M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 700 ps | Dram | 256 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
 | MT28F004B3VG-8 BET TR | - - - | | 6630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F004B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 40-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 80ns | |||
| MT48LC16M16A2B4-6A AAT: G Tr tr | - - - | | 1525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns |
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