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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W160ET7AZA6F TR | - - - |  | 1115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT53D4D1ASQ-DC | - - - | | 5547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | MT48LC32M8A2P-6A IT: g | - - - | | 4454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.080 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | 12ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAWP-AITX: E Tr | 3.7059 | | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT29F2G08ABAEAWP-E: E Tr | - - - | | 6217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT28EW128ABA1LPN-0SIT TR | - - - | | 9999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | MT28EW128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-VFBGA (7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 60ns | |||
| M29F400ft5AM62 | - - - | | 7474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 240 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | M25PX16-VMP6TG TR | - - - | | 7057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25PX16 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MTFC8GLDEA-1M WT | - - - | | 2250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC8 | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V. | 153-WFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8523.51.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | ||||
 | MT52L256M32D1PF-107 WT: b | 15.1400 | | 976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 178-VFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 178-FBGA (11,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | - - - | - - - | |||
| MTFC128GAOANEA-WT TR | - - - | | 4854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MTFC128 | Flash - Nand | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | MMC | - - - | ||||
 | MT53E384M32D2FW-046 WT: E TR | 10.4600 | | 2491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-MT53E384M32D2FW-046WT: ETR | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | 3,5 ns | Dram | 384m x 32 | Parallel | 18ns | ||||||
| M36W0R6050L4ZSE | - - - | | 7123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-tfbga | M36W0R | Blitz | 1,7 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -M36W0R6050L4ZSE | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 384 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
| MT29F64G8CBABAL84A3WC1 | - - - | | 9423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F64G8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT46V64M8FN-75: D Tr | - - - | | 3203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| MTFC4GACAANA-4M IT | - - - | | 5250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
| MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR | - - - | | 6543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MT29RZ4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||
 | MT40A2G4SA-075: e | 10.1850 | | 5764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 2g x 4 | Parallel | - - - | |||
| MT49H8M36BM-25E: B Tr | - - - | | 6654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H8M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 15 ns | Dram | 8m x 36 | Parallel | - - - | ||
| MT47H128M8HQ-187E: E Tr | - - - | | 9272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 350 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48H8M32LFB5-10 IT | - - - | | 4576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | N25Q128A11E1241E | - - - | | 8734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT29F1G16ABBDAH4-IT: d | - - - | | 9857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | - - - | | 9067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | MT29AZ5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | Veraltet | 1.440 | |||||||||||||||||
| MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D. | - - - | | 1883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||||
 | MT29F256G08CMEDBJ5-12it: D Tr | - - - | | 4746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT40A8G4BAF-062E: b | - - - | | 5484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A8G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (10,5x11) | - - - | 557-MT40A8G4BAF-062E: b | Veraltet | 8542.32.0071 | 168 | 1,6 GHz | Nicht Flüchtig | 32Gbit | 13.75 ns | Dram | 8g x 4 | Parallel | - - - | ||||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T: a | - - - | | 7053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT28F400B3WG-8 Wette | - - - | | 8931 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F400B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns | |||
| MT29F2G08ABCWP: C Tr | - - - | | 7671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - |
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