SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4TZ-053 WT ES: C Tr - - -
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1.866 GHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 - - - - - -
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 4397 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 AAT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 6672 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT53B384M32D2NP-062 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AUT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 WT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 1973 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-062 AIT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 9970 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-VFBGA MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 24gbit Dram 768 mx 32 - - - - - -
MT25QL128ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESF-0SIT TR - - -
RFQ
ECAD 6427 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25QL128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR - - -
RFQ
ECAD 3471 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25QL512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR - - -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25TL256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8E12-0AAT TR 13.3950
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25TL512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR - - -
RFQ
ECAD 1938 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 2568 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-WFBGA MT52L768 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 168-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 24gbit Dram 768 mx 32 - - - - - -
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-WFBGA MT52L768 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 168-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 24gbit Dram 768 mx 32 - - - - - -
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-107 WT: B Tr 24.1050
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 178-VFBGA MT52L512 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 178-FBGA (11,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M64D4PQ-107 WT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 253-VFBGA MT52L512 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 253-VFBGA (11x11.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AUT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (8x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,2 GHz Flüchtig 8gbit Dram 1g x 8 Parallel - - -
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR 13.1400
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad MT25QL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-wpdfn (8x6) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDWB-IT: G Tr 2.8500
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ECAD 712 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn MT29F2G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 8-updfn (8x6) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDWB-IT: G Tr 2.8500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn MT29F2G01 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 8-updfn (8x6) (MLP8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
MT40A1G4RH-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E: B Tr - - -
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A1G4 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (9x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,33 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 1g x 4 Parallel - - -
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AUT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,2 GHz Flüchtig 8gbit Dram 512 mx 16 Parallel - - -
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FD TR - - -
RFQ
ECAD 6450 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - EDF8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 2.400 800 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAAT-FR TR - - -
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-vfbga EDB1316 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 134-VFBGA (10x11.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 533 MHz Flüchtig 1Gbit Dram 64m x 16 Parallel - - -
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB2432B4MA-1DAUT-FR TR - - -
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-vfbga EDB2432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 134-VFBGA (10x11.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 2Gbit Dram 64m x 32 Parallel - - -
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAAT-FR TR - - -
RFQ
ECAD 7708 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-WFBGA EDB4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 134-FBGA (10x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 Parallel - - -
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBBPA-1D-FR TR - - -
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-WFBGA EDB4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 168-FBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 Parallel - - -
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DIT-FR TR - - -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-vfbga EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 134-VFBGA (10x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 533 MHz Flüchtig 512mbit Dram 16 mx 32 Parallel - - -
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FR TR - - -
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 220-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 220-FBGA (14x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
EDBA164B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FR TR - - -
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung - - - EDBA164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus