SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Micron Technology Inc. MT29F512G08MCBBJ5-6: B.001 - - -
RFQ
ECAD 8258 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1 167 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
M29W400DB70N1 Micron Technology Inc. M29W400DB70N1 - - -
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W400 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 4mbit 70 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 70ns
MT46V64M8TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75: d - - -
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop - - - Rohs Nick Konform 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MTFC4GMDEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GMDEA-1M WT - - -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8523.51.0000 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 AIT: c - - -
RFQ
ECAD 7731 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-VFBGA MT46H32M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-VFBGA (8x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,782 200 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR - - -
RFQ
ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25TL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR 4.7300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25QL128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT46V64M16P-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T: a Tr - - -
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 167 MHz Flüchtig 1Gbit 700 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT49H16M18FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25 TR - - -
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 144-tfbga MT49H16M18 Dram 1,7 V ~ 1,9 V. 144-µbga (18,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0036 1.000 400 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 16m x 18 Parallel - - -
MT47H256M4CF-25:H Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-25: h - - -
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ECAD 1262 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 256 mx 4 Parallel 15ns
MTFC2GMVEA-L1 WT Micron Technology Inc. MTFC2GMVEA-L1 WT - - -
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ECAD 6683 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC2G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 2g x 8 MMC - - -
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCBBH6-6itR: b - - -
RFQ
ECAD 4381 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-VBGA MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152-VBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 980 166 MHz Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-5M: B Tr - - -
RFQ
ECAD 6600 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 M AIT: P Tr - - -
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel - - -
JS28F128M29EWLA Micron Technology Inc. JS28F128M29EWLA - - -
RFQ
ECAD 8711 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F128M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 70ns
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCBBH7-6R: b - - -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-Tbga MT29F512G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 152-TBGA (14x18) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 166 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
MT25QU128ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-1SIT - - -
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QU128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT29F64G08AJABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP: B Tr - - -
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT35XU512ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA2G12-0AUT 15.8400
RFQ
ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XU512 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Xccela -bus - - -
MT53E768M64D4SP-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SP-046 WT: b 27.9300
RFQ
ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E768M64D4SP-046WT: b 1.360
MT54V512H18EF-6C Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-6c 24.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Synchron 2,4 V ~ 2,6 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen Nicht Anwendbar 4 (72 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 167 MHz Flüchtig 9mbit 2,5 ns Sram 512k x 18 Hstl - - -
MT60B4G4HB-56B:G Micron Technology Inc. MT60B4G4HB-56B: g 23.8200
RFQ
ECAD 4931 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT60B4G4HB-56B: g 1
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10IT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 5097 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-vbga MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCBBH6-6R: b - - -
RFQ
ECAD 4490 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-VBGA MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152-VBGA (14x18) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 166 MHz Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
M29W256GH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W256GH70ZA6E - - -
RFQ
ECAD 3205 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga M29W256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-TBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -M29W256GH70ZA6E 3a991b1a 8542.32.0071 816 Nicht Flüchtig 256mbit 70 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 70ns
MT46H32M32LFCM-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCM-6: a Tr - - -
RFQ
ECAD 6084 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 166 MHz Flüchtig 1Gbit 5 ns Dram 32m x 32 Parallel 15ns
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AUT: a Tr - - -
RFQ
ECAD 6140 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 - - - - - -
MT62F4G32D8DV-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 IT: b 99.5250
RFQ
ECAD 5404 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F4G32D8DV-023it: b 1 4,266 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 4g x 32 Parallel - - -
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc. MT47H256MBBT-37E: a - - -
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 92-tfbga MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 92-FBGA (11x19) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 267 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 256 mx 4 Parallel 15ns
RC28F640P30B85B TR Micron Technology Inc. RC28F640P30B85B TR - - -
RFQ
ECAD 8830 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC28F640 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 52 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 85 ns Blitz 4m x 16 Parallel 85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus