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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MTFC64GAPALNA-AAT ES | - - - | ![]() | 2147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | MTFC64 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 980 | ||||||||||||||||||
![]() | MT25QL256ABA8E14-1SIT | - - - | ![]() | 2631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | MT52L256M64D2PP-093 WT: B Tr | - - - | ![]() | 7632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 253-VFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 253-VFBGA (11x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1067 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | |||
![]() | MT29F4G08ABBEAH4: E Tr | - - - | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT53D768M64D4SQ-053 GEW .- | - - - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | - - - | - - - | ||||||||
MT41K128M16JT-107 AAT: k | 7.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT41K128M16JT-107AAT: K. | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,224 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AIT: c | 20.7300 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT: c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT41K512M16TNA-125 ES: E Tr | - - - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 13,5 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 | - - - | ![]() | 9813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT40A256M16GE-083E AUT: b | - - - | ![]() | 1223 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | M25PX80-VMP6TGT0 TR | - - - | ![]() | 1702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25PX80 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VFQFPN (6x5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
![]() | MTFC256GAZAOTD-AIT TR | 90.5250 | ![]() | 9917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MTFC256GAZAOTD-AITTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V64M8TG-5B IT: J. | - - - | ![]() | 1835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT29C4G96MAYBACJG-5 WT | - - - | ![]() | 6113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 512 MX 8 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 AIT: c | 86.2500 | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT: c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT58L512Y36PT-5 | 18.3500 | ![]() | 423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | EDBA164B2PF-1D-FR TR | - - - | ![]() | 3694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | - - - | EDBA164 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | Parallel | - - - | |||
MT47H64M8JN-25E ES: g | - - - | ![]() | 3165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | M29F200ft55M3E2 | - - - | ![]() | 7759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F200 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 40 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 55ns | |||
MT41K64M16JT-125: g | - - - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K64M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 13.75 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||
MT29F2G01ABAGD12-IT: G Tr | - - - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT29F2G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | ||||
![]() | MT42L16M32D1AC-25 AAT: a | - - - | ![]() | 9150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | MT42L16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT55L256L36PT-10 | 8.2400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT55L256L | SRAM - Synchron, ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 8mbit | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 AAT: e | 29.2650 | ![]() | 3286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53E768M32D4DT-053AAT: e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 768 mx 32 | - - - | - - - | ||
MT46H64M32LFBQ-48 AIT: c | 9.8850 | ![]() | 3730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 208 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 14.4ns | |||
![]() | M25P16-VMN6P | - - - | ![]() | 3255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
MT46H128M16LFDD-48 AIT: C Tr | 14.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 208 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 14.4ns | |||
![]() | MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.8c Tr | - - - | ![]() | 8774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT29RZ4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||
![]() | MT25QL02GCBA8E12-0SIT | - - - | ![]() | 9198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL02 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
![]() | MT48LC8M16A2P-7E ES: l | - - - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 14ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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