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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J Tr | 9.9000 |  | 6965 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 149-WFBGA (8x9,5) | - - - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87JTR | 2.000 | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit | 25 ns | Blitz, Ram | 512 MX 8 | Onfi | 30ns | |||||||||
| MT49H16M36BM-25E: b | - - - | | 7348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | |||
 | MT57W512H36JF-6 | 28.0100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Flüchtig | 18mbit | 500 ps | Sram | 512k x 36 | Hstl | - - - | ||||
| MT40A256M16LY-075: F Tr | 8.3250 | | 9073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (7,5x13,5) | Herunterladen | 557-MT40A256M16ly-075: Ftr | 2.000 | 1,333 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | Dram | 256 mx 16 | Pod | 15ns | ||||||||
| PF48F4400P0VBQ2E | - - - | | 5761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 88-TFBGA, CSPBGA | 48f4400p0 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 88-SCSP (8x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 253 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 85 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 85ns | ||||
 | MT53B384M32D2NP-053 WT: b | - - - | | 9043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | ||||
 | MT46V16M16P-6T: K Tr | - - - | | 5607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | PC28F128P33T85B TR | - - - | | 4441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F128 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns | |||
 | MT29F4G01ABAFD12-IT: F Tr | - - - | | 8112 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT29F4G01ABAFD12-IT: FTR | Veraltet | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 4g x 1 | Spi | - - - | |||||
 | MT47H128M8B7-5E L: a | - - - | | 5135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 92-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 92-FBGA (11x19) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 600 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT25QU512ABB8ESF-0AAT TR | 8.1150 | | 7616 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25QU512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MTFC32GAZAQHD-IT | 15.7800 | | 4044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | MTFC32G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-mtfc32Gazaqhd-it | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | EMMC | - - - | |||
 | MT41J64M16JT-125: g | - - - | | 1465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT28EW01GABA1LPC-1SIT | - - - | | 3322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28EW01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 128 mx 8, 64 mx 16 | Parallel | 60ns | ||||
 | MT53E256M32D1KS-046 AIT: l | 11.6800 | | 1373 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E256M32D1KS-046AIT: l | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4TZ-053 WT ES: C Tr | - - - | | 5930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 384m x 64 | - - - | - - - | ||||
 | M29W800DT70N6 | - - - | | 4799 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | ||||
| MTFC128GASAONS-AAT TR | 73.7250 | | 1499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MTFC128GASAONS-AATTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
 | MTFC32GJGDQ-AIT | - - - | | 2752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MTFC32G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
| MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 | - - - | | 2059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||||
| MT62F3G32D8DV-023 AUT: B Tr | 109.0500 | | 9518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | - - - | - - - | 557-MT62F3G32D8DV-023AUT: BTR | 2.000 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 3g x 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | MT29F8G08ADAFAWP-AITES: f Tr | - - - | | 9107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F8G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 1g x 8 | Parallel | - - - | |||||||
| MT46V64M8TG-5B Es: J tr | - - - | | 9365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||||
| MT53E2D1AFW-DC TR | 22.5000 | | 8837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53E2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E2D1AFW-DCTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F8G16ABACAH4-IT: c | - - - | | 1579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F8G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 512 mx 16 | Parallel | - - - | |||||
 | MT45W4MW16BFB-856 WT F. | - - - | | 5562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 64Mbit | 85 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 85ns | ||||
 | M29W256GL70N6F TR | - - - | | 2834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | MT40A512M16TD-062E AAT: R TR | - - - | | 1100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | 96-FBGA (7,5x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A512M16TD-062AAT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||
| MT29C1G12MAACAFAML-6 IT | - - - | | 3470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 153-VFBGA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Blitz, Ram | 128 MX 8 (NAND), 16 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||||
 | M58LT128HST8ZA6E | - - - | | 2627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80 lbga | M58LT128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 80 lbga (10x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -M58LT128HST8ZA6E | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 816 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns |
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