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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W640FT70ZA6E | - - - |  | 8641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 816 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT29F32G08ABCDBJ4-6it: d | - - - | | 1049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT46V64M8CV-5B: J. | - - - | | 5032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT46V64M8P-5B AIT: J. | - - - | | 8009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.080 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F512G08CUCABH3-12it: a Tr | - - - | | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT53E128M32D2DS-046 AIT: a | - - - | | 1946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT53E128M32D2DS-046AIT: a | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | - - - | - - - | |||
 | MT29F16G16ADACAH4-IT: c | - - - | | 8952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 1g x 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AIT: D Tr | - - - | | 8709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | ||||
| MT45W2MW16PGA-70 IT | - - - | | 2646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| M29W640GT60NA6E | - - - | | 4286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 60 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | |||
| MT46H64M32L2JG-5 IT: a | - - - | | 3580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F32G08AFACAWP: c | - - - | | 9245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | M25P32-VMF3TPB TR | - - - | | 4719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
 | JS28F256P33T2E | - - - | | 3790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256P33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 576 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 105 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 105ns | ||
 | PC28F320J3F75E | - - - | | 2500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 75 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 75ns | |||
 | M25P40-VMP6TGBX0 TR | - - - | | 8925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25P40 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT29F1T08EMHAFJ4-3RES: a Tr | - - - | | 5661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT29F16G08ABACAWP-ITZ: C Tr | - - - | | 6938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| N25Q256A33EF840E | - - - | | 4584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q256A33 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-1566 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 64m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||
| MT29F64G08AFAAAWP: a | - - - | | 9438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT47H64M8CB-37E: b | - - - | | 9275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 267 MHz | Flüchtig | 512mbit | 500 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| MT53B1G32D4NQ-062 WT ES: D. | - - - | | 4554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53B1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | ||||||||
| MT29F6T08ETHBBM5-3R: B Tr | - - - | | 7229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F6T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 6tbit | Blitz | 768G x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT29F1T08CUCCBH8-6C: c | - - - | | 9832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-lbga | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MTFC4GMVEA-IT | - - - | | 9958 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-WFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | |||||
| MT29F1G08ABAFAM78A3WC1L | 3.3900 | | 7587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | - - - | - - - | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | 557-MT29F1G08ABAFAM78A3WC1L | 1 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | - - - | - - - | |||||||||
| MT52L256M64D2PP-093 WT: b | - - - | | 3816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 253-VFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 253-VFBGA (11x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 1067 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | |||
| JS28F256M29EWLB TR | - - - | | 1414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 110 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 110ns | |||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: b | 22.8450 | | 5293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: b | 1 | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | MT25QU256ABA8E12-0AUT TR | 6.2100 | | 8962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT25QU256ABA8E12-0AUTTR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi | 1,8 ms |
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