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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A512M16TB-062E ES: r | - - - |  | 5681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (7,5x13) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A512M16TB-062EIT: r | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||||
 | MT52L1G64D8QC-107 WT: B Tr | - - - | | 8441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 253-VFBGA | MT52L1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 253-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 1g x 64 | - - - | - - - | |||
 | MT48H8M32LFB5-75: H Tr | - - - | | 1257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F4G01ABBFDWB-IT: f | 4.2200 | | 8957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 4g x 1 | Spi | - - - | |||
| MT62F1G32D4DS-031 IT: B Tr | 25.6350 | | 9353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D4DS-031it: btr | 2.000 | 3,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
 | PC28F128M29EWLX | - - - | | 7317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | PC28F128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 184 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 60 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 60ns | |||
 | MT29F16G08Ajadawp: d | - - - | | 9411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | Parallel | - - - | |||||
| MT29E1HT08ELHBBG1-3ES: B Tr | - - - | | 3374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29E1HT08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1,5 Tbit | Blitz | 192g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT62F3G32D8DV-023 WT: B Tr | 67.8450 | | 4452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | - - - | - - - | 557-MT62F3G32D8DV-023WT: BTR | 2.000 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 3g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES | 29.4000 | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATES | 1 | |||||||||||||||||||||
| N25Q064A13ese4mf Tr | - - - | | 9961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | N25Q064A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | - - - | | 1647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | Veraltet | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT: a Tr | 29.8650 | | 2663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT: ATR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | 18ns | ||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B Tr | 31.9350 | | 3905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT62F1G32D2DS-023AATES: BTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-T: c | 83.9100 | | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QJ: e | 105.9600 | | 7820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E384M32D2FW-046 IT: E Tr | 9.7650 | | 3197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT53E384M32D2FW-046it: ETR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | 3,5 ns | Dram | 384m x 32 | Parallel | 18ns | |||||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: b | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D2DS-023it: b | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
| MT41J512M8RH-093: e | - - - | | 1040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41J512M8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||
| MT46V32M16TG-5B: J. | - - - | | 3155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | MT40A2G8VA-062E: b | - - - | | 4454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (10x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 4g x 4 | Parallel | 15ns | |||
| MT53B512M64D4NH-062 WT ES: C. | - - - | | 9552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 272-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA (15x15) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||||
| MT53E1536M32D4NQ-046 WT: B Tr | - - - | | 2162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 557-MT53E1536M32D4NQ-046WT: BTR | Veraltet | 2.000 | ||||||||||||||||||||
| MTFC256GAXATEA-WT | 27.5700 | | 8315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | - - - | 153-VFBGA (11,5x13) | - - - | 557-MTFC256Gaxatea-wt | 1 | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | |||||||||
| MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR | 73,5000 | | 6084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT28HL32 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT28HL32GQBB3ERK-0GCTTR | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||
| PC28F512P30BFB TR | - - - | | 4321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 100ns | ||
| MTFC16GAPALHT-AAT | - - - | | 8882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC16 | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC16GAPALHT-AAT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||||
 | MT55L256V18P1T-10 | 3.1400 | | 69 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT55L256V | SRAM - Synchron, ZBT | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4mbit | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||
| MT29F16G08ABACAWP-AAT: C Tr | 33.8100 | | 995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16gbit | 20 ns | Blitz | 2g x 8 | Onfi | 20ns | |||
| MT29F1G08ABAEAWP-IT: e | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - |
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