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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 Micron Technology Inc. MT38W1011A90YZQXZI.XB8 - - -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1,518
M29W160ET70N3E Micron Technology Inc. M29W160ET70N3E - - -
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -M29W160ET70N3E Ear99 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 2m x 8, 1m x 16 Parallel 70ns
MT45W2MW16PGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W2MW16PGA-70 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 48-VFBGA MT45W2MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-VFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 32Mbit 70 ns Psram 2m x 16 Parallel 70ns
MT60B2G8HS-48B AAT:A Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT: a 31.3050
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. - - - - - - SDRAM - DDR5 - - - - - - - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT: a 1 2,4 GHz Flüchtig 16gbit Dram 2g x 8 Parallel - - -
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Micron Technology Inc. MT66R7072A10AB5zzw.zca - - -
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 121-WFBGA MT66R7072 PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 121-VFBGA (11x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit (PCM), 512Mbit (MCP) RAM 128 MX 8 (PCM), 64 MX 8 (MCP) Parallel - - -
MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 FAAT: b 47.8950
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung 441-tfbga MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 Parallel - - -
MT47H32M16CC-37E IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E IT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (12x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 267 MHz Flüchtig 512mbit 500 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT62F4G32D8DV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 WT: b 90.4650
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F4G32D8DV-026WT: b 1 3,2 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 4g x 32 Parallel - - -
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAWP-IT: e - - -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT41K512M16VRP-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AAT: p 18.4350
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen 557-MT41K512M16VRP-107AAT: p 1 933 MHz Flüchtig 8gbit 20 ns Dram 512 mx 16 Parallel 15ns
MTFC64GJDDN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC64GJDDN-4M IT - - -
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 169-LFBGA MTFC64 Flash - Nand 1,65 V ~ 3,6 V. 169-LFBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8523.51.0000 980 Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 MMC - - -
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAH4-IT: c - - -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 512 mx 16 Parallel - - -
JS28F320J3D75D TR Micron Technology Inc. JS28F320J3D75D TR - - -
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F320J3 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.600 Nicht Flüchtig 32Mbit 75 ns Blitz 4m x 8, 2m x 16 Parallel 75ns
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR Micron Technology Inc. Mt29vzzzbd8hqowl-053 W.G8D Tr - - -
RFQ
 ECAD 7345 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT29VZZZZBD8 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1.000
MT29F8T08EWLEEM5-T:E TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-T: E Tr 171.6300
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C. - - - - - - Flash - Nand (TLC) - - - - - - - - - 557-MT29F8T08EWLEEM5-T: ETR 1.500 Nicht Flüchtig 8tbit Blitz 1T x 8 Parallel - - -
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AAT: E Tr 29.2650
RFQ
 ECAD 5600 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-VFBGA MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT53E768M32D4DT-046AAT: ETR Ear99 8542.32.0036 2.000 2.133 GHz Flüchtig 24gbit Dram 768 mx 32 - - - - - -
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AAT: H Tr - - -
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT ES: C. - - -
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT53D768M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT: d - - -
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 376-WFBGA MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 - - - - - -
TE28F160C3BD70A Micron Technology Inc. TE28F160C3BD70A - - -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) 28f160c3 Flash - Boot Block 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 1m x 16 Parallel 70ns
MT28F128J3FS-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 MET TR - - -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-fbga MT28F128J3 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128mbit 120 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel - - -
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-FR TR - - -
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA EDF8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. 216-FBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NZ-46 WT: b 26.1150
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 376-WFBGA MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 376-WFBGA (14x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E512M64D2NZ-46WT: b 1,190 2.133 GHz Flüchtig 32Gbit 3,5 ns Dram 512 MX 64 Parallel 18ns
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT - - -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 137-VFBGA MT29C4G48 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 137-VFBGA (13x10.5) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.140 208 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Blitz, Ram 512 MX 8 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) Parallel - - -
MT25QL128ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-1SIT - - -
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QL128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MTFC8GLZDM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLZDM-1M WT - - -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
M29F400FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F400ft55M3E2 - - -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) M29F400 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -M29F400ft55M3E2 Ear99 8542.32.0071 40 Nicht Flüchtig 4mbit 55 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 55ns
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR - - -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT44K32M18RB-125:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125: a tr - - -
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K32M18 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 800 MHz Flüchtig 576mbit 12 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology Inc. Edb4064b4pb-1dit-fd tr - - -
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA EDB4064 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 216-WFBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) EDB4064B4PB-1DIT-F-DTR Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 4Gbit Dram 64m x 64 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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