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Integrierte Schaltungen (ICS) (10403)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L64L32FT-10 | 3.7900 |  | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L64L32 | Sram | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 64k x 32 | Parallel | - - - | ||
| MT58L512Y36DT-10 | 18.9400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
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| MT55L512Y36PF-10 | 20.9200 | | 112 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | MT55L512Y | SRAM - Asynchron, ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
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| MT58L256L36DS-6 | 8.5300 | | 24 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L256L36 | SRAM - Synchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 8mbit | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
| MT55V512V36PT-10 | 17.3600 | | 285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT55V512V | SRAM - Asynchron, ZBT | 2.375 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
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| MT58L256L36PS-7,5 | 10.4200 | | 69 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Flüchtig | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
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 | MT57W2MH8CF-6 | 28.3700 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | MT57W2MH | SRAM - Synchron | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 2m x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT55L256L18P1F-10 | 5.5100 | | 149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4mbit | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||
 | MT53E512M32D2NP-053 RS WT: E | - - - | | 9875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 1.360 | |||||||||||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAAT: b | - - - | | 4582 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT: b | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512 mx 32 | Parallel | 18ns |
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