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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD5F2GQ5REYIGY | 3.9138 |  | 8997 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F2GQ5REYIGY | 4.800 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 11 ns | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o | 600 µs | |||||||
| GD25X512MEBARY | 11.2385 | | 2421 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25X | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD25X512MEBARY | 4.800 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||||||||
| GD25LD80CKIG | 0,3676 | | 1652 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (1,5x1,5) | Herunterladen | 1970-GD25LD80CKIGRTR | 3.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 12 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - dual i/o | 97 µs, 6 ms | |||||||
 | GD25LQ16CSIG | 0,4195 | | 7089 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD5F1GQ5UEYJGR | 2.9324 | | 5226 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 7 ns | Blitz | 256 mx 4 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
| GD5F1GQ5REYIGR | 2.4898 | | 9975 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F1GQ5REYIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 9,5 ns | Blitz | 256 mx 4 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
| GD9FS8G8E2AMGI | 14.9396 | | 3046 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tsop i | Herunterladen | 1970-GD9FS8G8E2AMGI | 960 | Nicht Flüchtig | 8gbit | 22 ns | Blitz | 1g x 8 | Onfi | 25ns | ||||||||
| GD25WB256EYJGR | 2.9601 | | 2941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25WB256EYJGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 7,5 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | 300 µs, 8 ms | |||||||
| GD25LR256EWIGR | 2.8079 | | 7360 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LR | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | - - - | 1970-GD25LR256EWIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 9 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
| GD25Q20EAVR | 0,5656 | | 4992 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | - - - | 1970-GD25Q20EEAGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 7 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LQ32EQegr | 0,9828 | | 3861 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XDFN Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (4x4) | Herunterladen | 1970-GD25LQ32EQegrtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 100 µs, 4 ms | |||||||
| GD25WQ64Negr | 1.2544 | | 1709 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x4) | Herunterladen | 1970-GD25WQ64Negrtr | 3.000 | 84 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 12 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 240 µs, 8 ms | |||||||
| GD25B512MEBJRY | 5.2136 | | 4467 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25B512Mebjry | 4.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||||||||
| GD25LQ80CN2GR | 0,6818 | | 5726 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (3x4) | - - - | 1970-GD25LQ80CN2Grtr | 3.000 | 90 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 80 µs, 3 ms | |||||||
| GD5F1GQ5REYJGR | 3.0154 | | 8057 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F1GQ5REYJGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 9,5 ns | Blitz | 256 mx 4 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
| GD25Q80Enigr | 0,4242 | | 5279 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x4) | Herunterladen | 1970-GD25Q80Enigrtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 7 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2 ms | |||||||
| GD25B32Tigig | 0,9900 | | 1707 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 7 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| GD55LX01GEB2RY | 20.5352 | | 8135 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LX | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LX01GEB2RY | 4.800 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - oktal i/o, dtr | - - - | ||||||||
| GD25LQ16CTIG | 0,4057 | | 5669 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25VQ80CSIG | - - - | | 7941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25VQ80 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |||
| GD55B01GEFIRR | 13.0800 | | 6702 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||||||
| GD25Q16ETIGR | 0,7500 | | 26 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 7 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2 ms | ||
 | GD25VQ20CEIGR | - - - | | 3916 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VQ20 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |||
| GD25LQ255EFJRR | 2.8683 | | 7649 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 16-so-sop | Herunterladen | 1970-GD25LQ255EFJRRTR | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||
| GD9AU8G8E3AMGI | 14.6400 | | 3554 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9a | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | 1970-GD9AU8G8E3AMGI | 960 | Nicht Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Blitz | 1g x 8 | Parallel | 20ns | ||||||||
| GD5F4GM8UEYIGY | 5.5550 | | 3581 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F4GM8UEYIGY | 4.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | 7 ns | Blitz | 1g x 4 | Spi - quad i/o, dtr | 600 µs | |||||||
 | GD5F4GQ4RBYIGR | - - - | | 8884 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD5F4GQ4 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Spi - quad i/o | ||||
| GD25LR256EFIRR | 2.8974 | | 4907 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LR | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 16-so-sop | - - - | 1970-GD25LR256EFIRRTR | 1.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 9 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
| GD25Q64EFIGR | 0,8641 | | 2311 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | Herunterladen | 1970-GD25Q64efigrtr | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 7 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LB256EYIGR | 2.3929 | | 2509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25LB256EYIGRTR | 3.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms |
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