SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS42S16100E-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7b - - -
RFQ
ECAD 8053 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS42S16100 Sdram 3v ~ 3,6 V 60-TFBGA (6.4x10.1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 286 143 MHz Flüchtig 16mbit 5.5 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS25LP128F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLE 1.8798
RFQ
ECAD 4190 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) IS25LP128 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 90 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS46LQ32256AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA2-TR 23.4080
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46LQ32256AL-062BLA2-TR 2.500 1,6 GHz Flüchtig 8gbit 3,5 ns Dram 256 mx 32 LVSTL 18ns
IS42VM16800H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-6BLI-TR 4.0039
RFQ
ECAD 5920 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42VM16800 Sdram - Mobil 1,7 V ~ 1,95 V. 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 2.500 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.5 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS22TF08G-JCLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF08G-JCLA2-TR 17.3565
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA Flash - Nand (PSLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 153-VFBGA (11,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS22TF08G-JCLA2-TR 2.000 200 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 EMMC_5.1 - - -
IS64WV5128EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10BLA3 7.6120
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 36-tfbga IS64WV5128 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 36-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 480 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 512k x 8 Parallel 10ns
IS42S86400D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-6TLI 14.8881
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S86400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 64m x 8 Parallel - - -
IS63LV1024L-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12j-tr - - -
RFQ
ECAD 4081 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) IS63LV1024 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 32-soj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 1Mbit 12 ns Sram 128k x 8 Parallel 12ns
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR 3.2797
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61WV5128 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 36-soj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 512k x 8 Parallel 10ns
IS61LPS51236A-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-250B3LI - - -
RFQ
ECAD 2556 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LPS51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 250 MHz Flüchtig 18mbit 2.6 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS43R16320E-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5BI - - -
RFQ
ECAD 8005 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43R16320e-5bi Veraltet 190 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS62WV1288BLL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55HLI-TR 1.6344
RFQ
ECAD 3602 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) IS62WV1288 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 32-stSop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 2.000 Flüchtig 1Mbit 55 ns Sram 128k x 8 Parallel 55ns
IS43TR16K01S2AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16K01S2AL-125KBL 37.1200
RFQ
ECAD 5664 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-LFBGA IS43TR16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-LWBGA (10x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43TR16K01S2AL-125KBL Ear99 8542.32.0036 136 800 MHz Flüchtig 16gbit 20 ns Dram 1g x 16 Parallel 15ns
IS43R86400D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TL-TR 5.1123
RFQ
ECAD 3211 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.500 166 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
IS49NLC96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-33BLI - - -
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLC96400 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FCBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz Flüchtig 576mbit 20 ns Dram 64m x 9 Parallel - - -
IS66WVS4M8BLL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8BLL-104NLI 3.6600
RFQ
ECAD 279 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS66WVS4M8 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS66WVS4M8BLL-104NLI 3a991b2a 8542.32.0041 100 104 MHz Flüchtig 32Mbit 7 ns Psram 4m x 8 SPI, QPI - - -
IS61WV102416DALL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12TLI 11.2746
RFQ
ECAD 9134 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS61WV102416DALL-12TLI 96 Flüchtig 16mbit 12 ns Sram 1m x 16 Parallel 12ns
IS46DR16320E-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2-TR 5.1762
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.500 333 MHz Flüchtig 512mbit 450 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS61NLP102418-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-250B3 - - -
RFQ
ECAD 5964 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61NLP102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 250 MHz Flüchtig 18mbit 2.6 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS42S16800D-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75TL - - -
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 133 MHz Flüchtig 128mbit 6,5 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS46DR16320D-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2 8.5012
RFQ
ECAD 3724 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 209 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS64WV3216BLL-15CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV3216BLL-15CTLA3 4.5034
RFQ
ECAD 4973 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS64WV3216 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 135 Flüchtig 512Kbit 15 ns Sram 32k x 16 Parallel 15ns
IS43TR16256AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBLI - - -
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
IS61WV3216BLL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV3216BLL-12TLI-TR 1.7660
RFQ
ECAD 7503 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61WV3216 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 512Kbit 12 ns Sram 32k x 16 Parallel 12ns
IS42S32160B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7TL-TR - - -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32160 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 143 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
IS45S16400J-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7CTLA2 4.7138
RFQ
ECAD 6854 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS45S16400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel - - -
IS61LPS51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200b3i-TR - - -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LPS51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 200 MHz Flüchtig 18mbit 3.1 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS42S16320B-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75TL - - -
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16320 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 108 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.5 ns Dram 32m x 16 Parallel - - -
IS43TR16128A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-15HBL - - -
RFQ
ECAD 9365 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS46LQ16256A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA1 - - -
RFQ
ECAD 3518 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-VFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46LQ16256a-062BLA1 136 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 256 mx 16 LVSTL - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus