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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Anwendungen | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Basisproduktnummer | Frequenz | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Strom – Ausgang/Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | Interner Schalter | Topologie | Spannung – Versorgung (max.) | Dimmen | Spannung – Versorgung (Min.) | Spannung – Ausgang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43TR16512A-15HBL-TR | - |  | 2626 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-LFBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS61WV25616FBLL-10BLI | 2.9982 | | 9060 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV25616FBLL-10BLI | 480 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 10ns | |||||||||||||||||
 | IS43TR16256BL-125KBL | 7.8500 | | 3 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1731 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS61LF51236A-7.5B3I | - | | 9371 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43TR16512S2DL-107MBL-TR | 18.7397 | | 8444 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-LWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBL-TR | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
 | IS43LR32160C-6BL-TR | 6.7050 | | 2677 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS43LR32160 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | 12ns | |||||||||||||
 | IS21TF08G-JQLI-TR | - | | 5695 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | IS21TF08G | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 64Gbit | BLITZ | 8G x 8 | MMC | - | |||||||||||||
 | IS64LPS204818B-166TQLA3 | 132.3258 | | 9494 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS64LPS204818 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,8 ns | SRAM | 2M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS25LP020E-JNLE | 0,4000 | | 825 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25LP020 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LP020E-JNLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | 8 ns | BLITZ | 256K x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 1,2 ms | ||||||||||||
| IS43TR85120B-125KBLI | 8.3085 | | 6531 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR85120B-125KBLI | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
| IS61WV5128FBLL-10TLI | 2.3764 | | 2464 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV5128FBLL-10TLI | 135 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 10ns | |||||||||||||||||
| IS49RL18320-125FBL | - | | 8407 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49RL18320-125FBL | VERALTET | 1 | 800 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 8 ns | DRAM | 32M x 18 | Parallel | - | ||||||||||||||
| IS62WV2568FBLL-45TLI-TR | 1.5749 | | 5433 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV2568FBLL-45TLI-TR | 1.500 | Flüchtig | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 45ns | |||||||||||||||||
 | IS65C256AL-25TLA3-TR | 2.7498 | | 3177 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-TSSOP (0,465", 11,80 mm Breite) | IS65C256 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 256Kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 25ns | ||||||||||||||
 | IS45S16100H-7BLA2 | 3.6124 | | 7292 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS45S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 60-TFBGA (6,4x10,1) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS43LD16128C-18BLI | 10.5177 | | 4351 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43LD16128C-18BLI | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||||
| IS25WJ032F-JTLE-TR | 1.1100 | | 4 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-UDFN freiliegendes Pad | IS25WJ032F | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-USON (4x3) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | 6 ns | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 1,6 ms | |||||||||||||
 | IS25LP064-JMLE | - | | 6462 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25LP064 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1340 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 800µs | |||||||||||||
 | IS43R16320E-5TLI | 7.4065 | | 1847 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS31FL3198-QFLS2-TR | 0,8029 | | 4212 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 16-WFQFN freiliegendes Pad | DC-DC-Regler | 1 MHz | 16-QFN (3x3) | - | 3 (168 Stunden) | 2.500 | 80mA | 3 | Ja | Geschalteter Kondensator (Ladepumpe) | 5,5V | NEIN | 3V | - | |||||||||||||||||
| IS61NLF102418-7.5TQLI | - | | 1472 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLF102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43DR16320E-25DBL-TR | 2.2990 | | 4105 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43DR16320E-25DBL-TR | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 32M x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||||||||||
| IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR | 10.8177 | | 5483 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS64VF12832 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 4Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS42SM32100D-6BLI | 2.3119 | | 2118 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42SM32100 | SDRAM – Mobil | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS45S16100C1-7BLA1 | - | | 7125 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS45S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 60-MiniBGA (6,4x10,1) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43R16160F-5TL-TR | 2.4816 | | 1290 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS25LP080D-JBLE | 0,8200 | | 7 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25LP080 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1578 | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||||||||||||
 | IS45S16160J-7CTLA2 | 5.6109 | | 2256 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS61LPS25636A-200B3LI-TR | 14.7000 | | 5685 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LPS25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS49RL18640-107EBL | 109.1224 | | 1959 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49RL18640-107EBL | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 1.152 Gbit | 8 ns | DRAM | 64M x 18 | Parallel | - |
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