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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Anwendungen | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Basisproduktnummer | Frequenz | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Strom – Ausgang/Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | Interner Schalter | Topologie | Spannung – Versorgung (max.) | Dimmen | Spannung – Versorgung (Min.) | Spannung – Ausgang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | 3.1918 |  | 8502 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 16Mbit | 55 ns | PSRAM | 1M x 16 | Parallel | 55ns | ||||||||||||||
 | IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | - | | 9240 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128M x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||||||||||||
 | IS49RL36160-093BLI | - | | 1398 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | IS49RL36160 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576Mbit | 10 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS29LV032B-70BLI | - | | 5354 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS29LV032B | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | VERALTET | 0000.00.0000 | 480 | Nicht flüchtig | 32Mbit | 70 ns | BLITZ | 4M x 8, 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||||||||||||||
| IS46LQ32640A-062BLA1-TR | - | | 1841 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32640A-062BLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | DRAM | 64M x 32 | LVSTL | - | |||||||||||||||||
 | IS46TR16640BL-125KBLA3 | - | | 6864 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16640BL-125KBLA3 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS61QDB22M36A-250M3I | - | | 9029 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDB22 | SRAM – Synchron, QUAD | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS61QDB22M36A-250M3I | VERALTET | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 1,8 ns | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS25LQ512B-JVLE | - | | 4734 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25LQ512 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-VVSOP | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LQ512B-JVLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 512Kbit | 8 ns | BLITZ | 64K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | ||||||||||||
 | IS42S32800B-6BLI-TR | - | | 7409 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS42S32160F-75EBLI | 13.0470 | | 4006 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 6 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS43TR85120A-093NBLI | - | | 7700 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR85120A-093NBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 220 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS61NLP102418-200B3I | - | | 2074 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS43TR81280BL-107MBL-TR | - | | 4283 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS62C256AL-45TLI | 1.5200 | | 919 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-TSSOP (0,465", 11,80 mm Breite) | IS62C256 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 256Kbit | 45 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 45ns | ||||||||||||||
 | IS43LR16320B-6BLI-TR | - | | 9237 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 12ns | |||||||||||||
 | IS25LP064A-JGLE-TR | - | | 9510 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | IS25LP064 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 800µs | ||||||||||||||
 | IS25LP512M-RMLE | 10.0000 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25LP512 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1639 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 1,6 ms | |||||||||||||
 | IS43R16800E-5TLI-TR | 2.4388 | | 1681 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 700 PS | DRAM | 8M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS31FL3747-CLS4-TR | - | | 5015 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 36-XFBGA, WLCSP | Linear | - | 36-WLCSP (0,34 x 0,34) | herunterladen | 3 (168 Stunden) | 2.500 | 48,7mA | 12 | NEIN | - | 5,5V | Mehrstufig, PWM, SPI | 2,7V | - | |||||||||||||||||
| IS42S32200L-6BI | - | | 2608 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS64LV25616AL-12TA3 | - | | 9400 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS64LV25616 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 12ns | ||||||||||||||
 | IS43R16320E-6BI | - | | 8785 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS45S16100H-7TLA2 | 2.4926 | | 4646 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | - | | 7779 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 115°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS25LP128F-JBLA3 | 3.1700 | | 9 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25LP128 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LP128F-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||||||||||||
 | IS25LQ010B-JDLE | - | | 2854 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | IS25LQ010 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 1Mbit | BLITZ | 128K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | ||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-70TLI-TR | 2.2706 | | 9745 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS66WV51216 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8Mbit | 70 ns | PSRAM | 512K x 16 | Parallel | 70er Jahre | ||||||||||||||
| IS43TR81024BL-107MBLI | 22.8583 | | 4644 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81024BL-107MBLI | 136 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
| IS25LP256E-RHLE | 3.8455 | | 4734 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP256E-RHLE | 480 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | |||||||||||||||||
| IS46R86400D-6TLA1-TR | 8.6250 | | 5054 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS46R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns |
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