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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62C25616EL-45TLI-TR | 3.4742 |  | 3497 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62C25616 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 45ns | |||
| IS25WP256E-JLLE | 4.0444 | | 5161 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP256E-JLLE | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
 | IS42S32800B-7T | - - - | | 6365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | - - - | | 7779 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS42S83200B-7T-TR | - - - | | 4739 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S83200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | - - - | ||
 | IS61C256AL-12TLI-TR | 1.0839 | | 5472 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS61C256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 12ns | |||
 | IS29GL256-70DLEB | 6.9600 | | 263 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | IS29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-LFBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS29GL256-70DLEB | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | 200 µs | ||
 | IS43R32800D-5BI | - - - | | 4036 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43TR81280BL-125KBLI | 5.9578 | | 3111 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS42S16160B-7TLI | - - - | | 5628 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS61LV6416-8KL | - - - | | 7908 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV6416 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 1Mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 8ns | |||
 | IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR | - - - | | 1220 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |
| IS43TR81024BL-107MBL-TR | 19.5776 | | 6111 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81024BL-107MBL-TR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
| IS43TR16640CL-125JBL | 3.6500 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16640CL-125JBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS43R86400E-6TLI-TR | - - - | | 2638 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS49NLS18160-25BL | - - - | | 3069 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS18160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Parallel | - - - | ||
 | IS25LQ020A-JDLE | - - - | | 2510 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | IS25LQ020 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 400 µs | |||
| IS45S16800E-6TLA1-TR | - - - | | 9228 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS62WV25616DALL -55TI -TR | - - - | | 9934 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS46TR81280BL-125JBLA2 | - - - | | 2694 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 | Ear99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
| IS25LX256-JHLA3-TR | 4.3200 | | 2460 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LX256 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LX256-JHLA3-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||
| IS42R32800J-7TLI | - - - | | 1889 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | IS42R32800 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | ||||||||||||||||
 | IS25LP032D-JBLA3 | 1.7900 | | 4 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LP032 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP032D-JBLA3 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||
 | IS42SM32400G-75BLI | - - - | | 1200 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42SM32400 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS62WV2568BLL-55BLI-TR | 2.1507 | | 9241 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | IS62WV2568 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 36-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 55ns | |||
| IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR | 10.5203 | | 7306 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 MX 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61LPS204818A-166TQL-TR | - - - | | 9188 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
| IS62WV25616ECll-35BLI | 3.9214 | | 4530 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,465V | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV25616ECll-35BLI | 480 | Flüchtig | 4mbit | 35 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 35ns | ||||||
| IS45S32400F-7BLA1-TR | 5.8800 | | 4253 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS61QDPB21M36A-333M3L | 71.5551 | | 6756 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61QDPB21 | SRAM - Synchron, Quadp | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - |
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