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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32200L-5TL | 3.3234 |  | 8405 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 4,8 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS42S16320B-6TL | - | | 2870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS62WV1288DBLL-45QLI-TR | - | | 4917 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,445", 11,30 mm Breite) | IS62WV1288 | SRAM – Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V | 32-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 45ns | |||
 | IS43LR32800F-6BL-TR | - | | 8135 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS43LR32800 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | 15ns | ||
| IS42S32160F-6BLI-TR | 12.6600 | | 4218 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS43LR32800H-6BLI-TR | 4.9180 | | 8552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32800H-6BLI-TR | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | LVCMOS | 15ns | |||||
| IS45S32800J-7BLA1-TR | 7.5150 | | 7511 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS45S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 8 | Parallel | - | ||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | | 2364 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | IS61WV2568EDBLL-10BLI | 4.5984 | | 1465 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-TFBGA | IS61WV2568 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 10ns | |||
 | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | - | | 9424 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | - | | 9472 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS42S32200C1-6T-TR | - | | 1902 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS49NLC18160-33BL | - | | 9571 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 16M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR | 2.0460 | | 6274 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS62WVS0648 | SRAM – Synchron, SDR | 2,2 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3.000 | 20 MHz | Flüchtig | 512Kbit | SRAM | 64K x 8 | SPI – Quad-I/O, SDI, DTR | - | |||
 | IS43TR16640B-15GBLI | - | | 6224 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS61C6416AL-12TLI | 2.4500 | | 4 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61C6416 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 12ns | |||
| IS42SM32400G-75BI | - | | 2457 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM – Mobil | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS61QDB42M18-250M3 | - | | 6649 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDB42 | SRAM – Synchron, QUAD | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 7,5 ns | SRAM | 2M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS25LP032D-JMLE | - | | 8681 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25LP032 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||
 | IS61NLP25618A-200B3LI | 9.8704 | | 4070 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP25618 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | ||
 | IS46DR16320D-3DBLA1 | 6.4315 | | 4911 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 450 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS42S32160C-6BLI-TR | - | | 3844 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-WBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS46R16160F-6TLA2 | 5.3646 | | 6088 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR | 4.6281 | | 6802 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | IS62WV51216 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS66WV51216DBLL-70TLI | - | | 8722 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS66WV51216 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 70 ns | PSRAM | 512K x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS25WP032D-JBLE | 1.2500 | | 16 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25WP032 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||
| IS61DDP2B22M36A-400M3L | 100.1770 | | 2518 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDP2 | SRAM – Synchron, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 72Mbit | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | |||
| IS45S16400F-7TLA1 | - | | 3736 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | ||
| IS42S16800D-75ETL-TR | - | | 5198 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6,5 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
| IS34MW02G084-BLI-TR | 4.3621 | | 4179 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 63-VFBGA | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS34MW02G084-BLI-TR | 2.500 | Nicht flüchtig | 2Gbit | 30 ns | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | 45ns |
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