Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | Interne Schalter (en) | Topologie | Spannung - Verrorane (max) | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LD040-JVLE-TR | - - - | ![]() | 8308 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LD040 | Blitz | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-vvsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.500 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi | 5 ms | ||||||||||||||
![]() | IS61LPS12836A-250TQL | 8.3815 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 2.6 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS42S16400D-7TL | - - - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS43QR16256a-093pbl | - - - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43QR16256 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS25LP512M-RMLA3-TR | 7.8141 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP512M-RMLA3-TR | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 7 ns | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||||||||||||
![]() | IS45S16320F-6BLA1 | 13.1535 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS61LP6432A-133TQ | - - - | ![]() | 9649 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LP6432 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4 ns | Sram | 64k x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS61NVF102418-6.5B3 | - - - | ![]() | 4874 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NVF102418 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS62WV5128BLL-55QLI-TR | 3.6397 | ![]() | 5988 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 32-sout | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||||||||
![]() | IS49NLC93200A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 5598 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC93200A-25WBL | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 32m x 9 | Hstl | - - - | |||||||||||||||
IS65WV25616BLL-70TLA3-TR | 8.0280 | ![]() | 5446 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS65WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 70ns | |||||||||||||||
![]() | IS42VM32400H-75BLI-TR | 4.1105 | ![]() | 1416 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42VM32400 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS61LF204818A-7.5TQLI | - - - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LF204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 7,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16128DL-125KBLI-TR | 4.5807 | ![]() | 1876 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16128DL-125KBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS43QR16256B-083RBL | 12.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-Bga | IS43QR16256 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-Bga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1733 | Ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43TR82560D-107MBLI-TR | 4.4619 | ![]() | 3038 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR82560D-107MBLI-MR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS34MW04G084-TLI-TR | 8.4321 | ![]() | 4704 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS34MW04 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | 45 ns | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS31FL3719-QFLS4-TR | - - - | ![]() | 2943 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 32-wfqfn exponiert pad | Linear | - - - | 32-QFN (4x4) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 2.500 | - - - | 9 | NEIN | Konstanter Strom | 5,5 v | I²c | 2,7 v | - - - | |||||||||||||||||
![]() | IS61WV2048FBLL-10TLI-TR | 8.6823 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV20488Fbll-10TLI-TR | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Parallel | 10ns | |||||||||||||||||
![]() | IS43LD32640B-25BLI-TR | 10.5750 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD32640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16320F-6TL-TR | 10.4100 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS63WV1288DBLL-10HLI-TR | 1.6544 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS63WV1288 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||
![]() | IS42SM32100C-6BLI | - - - | ![]() | 6355 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM32100 | Sdram - Mobil | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
IS46DR16320C-3DBA2 | - - - | ![]() | 9897 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46DR16320C-3DBA2 | Veraltet | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS25LP040E-JBLE | 0,6300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LP040 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP040E-JBLE | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 1,2 ms | ||||||||||||
![]() | IS61C5128AS-25qli | 4.5000 | ![]() | 999 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) | IS61C5128 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-sout | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | Flüchtig | 4mbit | 25 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 25ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S32800D-7BLI | - - - | ![]() | 5268 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS66WV51216DBLL-70BLI | - - - | ![]() | 7172 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS66WV51216 | Psram (pseudo sram) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Psram | 512k x 16 | Parallel | 70ns | ||||||||||||||
![]() | IS43TR16512AL-125KBLI-TR | - - - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LFBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43R16800E-5TLI | 2.6286 | ![]() | 2418 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus