SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Frequenz Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal Taktfrequenz Anzahl der Ausgänge Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site Interne Schalter (en) Topologie Spannung - Verrorane (max) Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang
IS43TR82560C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-125KBLI 6.7721
RFQ
ECAD 3047 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
IS64WV102416BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MLA3 26.2419
RFQ
ECAD 2657 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS64WV102416 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 48-minibga (9x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 210 Flüchtig 16mbit 10 ns Sram 1m x 16 Parallel 10ns
IS43TR16256A-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBL-TR - - -
RFQ
ECAD 6240 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.500 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
IS43R32400E-4BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-4BL-TR 4.6089
RFQ
ECAD 2771 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-lfbga IS43R32400 SDRAM - DDR 2,4 V ~ 2,6 V. 144-LFBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.500 250 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 4m x 32 Parallel 16ns
IS42S16160J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TL-TR 2.7132
RFQ
ECAD 9773 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS45S32400E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7BLA1 - - -
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS45S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS62WV6416BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55BLI 2.0771
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS62WV6416 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 480 Flüchtig 1Mbit 55 ns Sram 64k x 16 Parallel 55ns
IS25WP032D-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-RMLE - - -
RFQ
ECAD 4027 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) IS25WP032 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1646 3a991b1a 8542.32.0071 44 104 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 8 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS42S32800G-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BLI 7.8889
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25BI - - -
RFQ
ECAD 3776 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLC18320 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FCBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz Flüchtig 576mbit 20 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
IS62WV5128DALL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55T2LI-TR - - -
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV5128 SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 32-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 512k x 8 Parallel 55ns
IS61LF12836EC-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI 7.8683
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF12836 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 133 MHz Flüchtig 4,5mbit 6,5 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TLA3-TR 4.1685
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS65WV12816 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 2mbit 55 ns Sram 128k x 16 Parallel 55ns
IS42S32800D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75TLI-TR - - -
RFQ
ECAD 4245 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS61LF102418B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-6.5TQLI 17.8310
RFQ
ECAD 7330 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 133 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS25WP016D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JKLE-TR 0,8067
RFQ
ECAD 4323 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25WP016 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-Wson (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 4.500 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS46LR32160C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1-TR 10.2750
RFQ
ECAD 6939 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.500 166 MHz Flüchtig 512mbit 5.5 ns Dram 16 mx 32 Parallel 12ns
IS46TR16128BL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA2 - - -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS61WV10248BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10TLI 15.4600
RFQ
ECAD 315 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61WV10248 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 135 Flüchtig 8mbit 10 ns Sram 1m x 8 Parallel 10ns
IS31LT3135-V1GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3135-V1GRLS2-TR - - -
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) BeleUteuntung Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Linear IS31LT3135 - - - 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 2.500 300 mA, 500 mA 2 - - - - - - 5,5 v - - - 2,7 v - - -
IS61QDP2B42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B42M18A-400M3L 75.0000
RFQ
ECAD 9667 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDP2 SRAM - Synchron, Quadp 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 400 MHz Flüchtig 36Mbit 8.4 ns Sram 2m x 18 Parallel - - -
IS45S16100H-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7BLA1 3.1608
RFQ
ECAD 8724 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS45S16100 Sdram 3v ~ 3,6 V 60-TFBGA (6.4x10.1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 286 143 MHz Flüchtig 16mbit 5.5 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS42S16160D-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75EBLI - - -
RFQ
ECAD 1768 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TW-BGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS42S83200D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-6TL-TR - - -
RFQ
ECAD 3848 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S83200 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel - - -
IS43LR32800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800F-6BL-TR - - -
RFQ
ECAD 8135 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS43LR32800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.500 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 8m x 32 Parallel 15ns
IS45S16100C1-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7TLA1 - - -
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS45S16100 Sdram 3v ~ 3,6 V 50-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 117 143 MHz Flüchtig 16mbit 5.5 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 4.7956
RFQ
ECAD 2718 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS61WV25616 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 4mbit 8 ns Sram 256k x 16 Parallel 8ns
IS25WP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE 0,9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) IS25WP080 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 90 133 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS45S16400J-6CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6CTLA1-TR 4.0367
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS45S16400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.500 166 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel - - -
IS45S16320D-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA1 19.4659
RFQ
ECAD 2984 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS45S16320 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 240 143 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 32m x 16 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus