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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Anwendungen | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Basisproduktnummer | Frequenz | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Strom – Ausgang/Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | Interner Schalter | Topologie | Spannung – Versorgung (max.) | Dimmen | Spannung – Versorgung (Min.) | Spannung – Ausgang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43TR16640A-15GBLI | - |  | 3784 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS61C5128AL-10TLI | 3.6124 | | 4290 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61C5128 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||
 | IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR | 6.6840 | | 4861 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR | 2.500 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 10ns | |||||||||||||||||
 | IS43R16160F-5TLI | 3.0344 | | 2438 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS25WE512M-RMLE | - | | 4762 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25WE512M-RMLE | VERALTET | 1 | 112 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | |||||||||||||||
 | IS25LQ512B-JBLE | - | | 4790 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25LQ512 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1323 | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 512Kbit | BLITZ | 64K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | |||||||||||||
 | IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR | 20.7900 | | 6339 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS64LF25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43LD32800B-25BLI-TR | 5.1543 | | 8436 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD32800B-25BLI-TR | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||||||||||||||
 | IS49NLC36800-25BI | - | | 8343 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 8M x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43LR16320C-5BLI-TR | 6.1327 | | 5612 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16320C-5BLI-TR | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5 ns | DRAM | 32M x 16 | LVCMOS | 15ns | ||||||||||||||||
 | IS42S16100H-6TL | 1.1212 | | 5258 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS42S32160A-75BL-TR | - | | 3351 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-LFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 6 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS62WV2568DBLL-45HLI-TR | - | | 6616 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,465", 11,80 mm Breite) | IS62WV2568 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-sTSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 45ns | ||||||||||||||
| IS43R86400D-5TL-TR | 5.3325 | | 6850 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43TR81280B-125JBL-TR | - | | 4852 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS42S32160D-6BL | 13.5037 | | 3860 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS31LT3353-V1STLS2-TR | - | | 9692 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Beleuchtung | Oberflächenmontage | SC-74A, SOT-753 | DC-DC-Regler | IS31LT3353 | 1 MHz | SOT-23-5 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1A (Schalter) | 1 | Ja | Rücktritt (Buck) | 40V | Analog, PWM | 6V | - | ||||||||||||
| IS42S32800G-7BL-TR | 6.3600 | | 5229 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS45S16400J-6TLA1-TR | 3.4742 | | 1894 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS42SM32400G-75BLI | - | | 1200 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM – Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS25LP080D-JBLE-TR | 0,8200 | | 10 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25LP080 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | ||||||||||||||
| IS46QR81024A-083TBLA2 | 21.5457 | | 5636 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM – DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR81024A-083TBLA2 | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 18 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
| IS22TF32G-JQLA1-TR | 36.4420 | | 6223 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF32G-JQLA1-TR | 1.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
| IS42S16160J-6TL-TR | 2.7132 | | 9773 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS43DR16160B-3DBI-TR | - | | 3966 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 450 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS21TF32G-JCLI-TR | 35.8500 | | 4833 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | IS21TF32G | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21TF32G-JCLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | |||||||||||||
 | IS46LD32128C-25BPLA1 | - | | 3130 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46LD32128C-25BPLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||||||||||
 | IS61C1024AL-12TLI-TR | 1.8501 | | 4249 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS61C1024 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 12ns | ||||||||||||||
| IS45S16400F-7TLA2 | - | | 8590 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43LD16128C-25BLI-TR | - | | 6441 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD16128C-25BLI-TR | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 16 | HSUL_12 | 15ns |
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